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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1043695/bq24725a-blanking-time
大家好、
在 BQ24725A 的数据表中，过流保护功能基于相位和 GND 之间的电压测量，该测量是“在一定的消隐时间之后”执行的(请参阅下面的屏幕截图)。 遗憾的是、我在数据表中找不到这个神秘的数字、尽管它在文本中多次引用。 消隐时间对于我们了解我们看到的问题以及如何可靠地解决这些问题非常重要。
此致、
RJ
您好、RJ、
这是一个内置在 IC 中的抗尖峰脉冲计时器、用于逐周期过流保护。 它由设计在内部指定、我们不会发布到公共数据表中。 本文档中引用了消隐期、以防出现如第8.4.18 I 节第2段所述的行为 为什么这与客户相关？ 这是一种最后的保护措施、旨在防止电池短路或电感器短路。 在正常运行期间不应观察到这一点
您好 Kedar、
„的是，我们确实看到这种“最后的保护”被作为我们的一些主板的错误-肯定-错误而被解雇。 电路板或组件上没有实际短路！ 我们发现、当我们通过减少外部栅极电阻(电路板在进行此修改后能够完美工作)来加快 MOSFET 开关转换速度时、不会出现误差。 在我们的案例中、MOSFET 开关时间大约为60ns 至80ns (从低侧栅极驱动输出上升到0.1V 相位交叉阈值)
我们怀疑所发生的情况是、逐周期过流保护在启动低侧 MOSFET 的栅极驱动后对~70ns 的相位电压进行采样。 对于我们的一些电路板、开关速度只有几纳秒太慢、因此相位采样将>100mV、过流保护将会触发。 我知道阈值可以增加到200mV、但这将使我们的增益仅为~1ns、这不足以实现稳定运行。
有关抗尖峰脉冲时间的信息对我们非常重要、以便了解这种推理是否正确。 如果您告诉我们抗尖峰脉冲计时器大于100ns，则问题是由另一种机制引起的。 但是、如果去毛刺脉冲时间大约为70ns +/- 10ns、那么这可以完美地解释观察到的行为。 在这种情况下，我们必须了解抗尖峰脉冲时间及其容差，以便能够更正我们的设计并为稳定运行增加足够的裕度。
在任何情况下、抗尖峰脉冲时间都与客户非常相关、因为他们必须通过设计确保 MOSFET 开关时间足够快、不会出现误报误差。
您好！
在我看来、这更像是一个驱动器死区时间问题。 如果您显著降低开关 FET 的关断/导通速度、从而使我们的 IC 栅极驱动器中内置的死区时间导致 HSFET 关断/ LSFET 导通的交叉、或反之、则可能发生击穿。 这种通过 HSFET 的高电流会导致我们跳闸保护机制。
对于正常配置、您能否捕获电感器电流(在电感器 SW 焊盘和电感器焊盘之间焊接电流环路、并在导线周围焊接电流探针) HIDRV、LODRV 和 PH？ 您在开关 FET 上使用的栅极电阻值是多少？
