This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC28730-Q1:高压电源高于700Vdc、与 UCC28740中的情况相同

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28740, UCC28730, UCC28740-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1044699/ucc28730-q1-hv-supply-above-700vdc-as-in-ucc28740

器件型号:UCC28730-Q1
主题中讨论的其他器件:UCC28740UCC28730UCC28740-Q1

您好!

UCC28740的数据表建议使用两个电容器、以便在高于700Vdc 的电压下从高电压启动。 为什么 UCC28730的数据表中不包含这一点? 是否可以对 UCC28730使用相同的设置?
如何计算这些电容器的大小?

此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的提问。

    基本上、UCC28740和 UCC28730的 HV 设计是相同的。  

    请告诉我、您在 UCC28740的数据表中提到了哪一个数字或描述?  澄清您的问题会很有帮助。  

    此致、  

    Wesley

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!  

     很抱歉、我只是查看 UCC28740的数据表。 这就是我以前没有找到它的原因。  我在 UCC28740-Q1的数据表中找到了该图。 当 Vbulk 超过700VDC (超出 HV 引脚规格)时、CIN2和 CIN1可作为分压器提供低于700V 的电压。 它可以通过 KVL 的一个简单方程进行计算。 公式如下所示。  

    VHVPIN = VBULK *(CIN1/(CIN1+CIN2))< 700VDC。

    UCC28730和 UCC28740的 HV 启动电路设计相同。 因此、该电路也能够应用于 UCC28730。

    如果您需要任何帮助、请告诉我。

    此致、

    Wesley

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!
    谢谢你。
    关于电容器的值、我正在寻找一个准则来找到电容器的绝对值、以便它们能够提供必要的启动电流。 你有这样的东西吗? 至于相对值、我将查看两个相等的电容器、因为这也会导致组件的最低必要额定电压。

    此致
    路德维希

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ludwig:

    我没有这种指南、但我认为它可以通过公式 Q=CV 获得电容值。 这种方法如下所示。  

    第一步是设计 CVDD。 您可以根据 UCC28740或 UCC28730的计算工具获得该值。  

    数据表中注明了 VDD (ON)。 大约为23V (最大值)

    因此、为 CVDD 充电的总 Q 为 Qtotal = CVDD * VDD (on)。 这是 CIN2为 VDD 充电必须提供的最小值。

    假设 CIN1=CIN2、VHVPIN=VBulk /2。  

    然后、我们可以得到  Cequal = Q/VHPIN

    例如、  

    如果 Vbulk 为700V。 CVDD 为10uF。  必要的 Q 值为 Qtotal=10uF*23V=230uC。  

    由于 CIN1=CIN2、VHVPIN 将为 VBulk /2=350V。  

    C2 = 230uC/350V=657nF (最小值)  。 考虑到该电容器的20%容差、CIN2=CIN1=1.2*657nF=788nF => 820nF 应该可以使用。  

    这种方法可能不是很精确、但我认为选择电容器值仍然很有帮助。

    如果您对此有任何想法、请告诉我。 我们可以对此进行讨论。  

    此致、  

    Wesley  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!  

    实际上、我曾考虑过类似的方法、但使用的是能量方法而不是电荷。 根据、您可以计算低侧电容器中的压降并调整容量、以便顶部电压仍处于范围内。 我还使用了保守的效率系数。

    根据您对 IC 内侧的了解、充电方法是否更准确? 这将导致比能量方法高得多的电容值。

    此致

    路德维希  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

     我会咨询曾使用过此电路的成员。 仍然需要添加与 CIN1和 CIN2并联的平衡电阻器。  

    电流将流经 CIN1、为 CIN2和 CVDD 充电。  因此、电容仅影响 CVDD 的充电时间。  

    因此、如果您选择更高的值、充电时间将会更快。  请注意、IHV 由 IC 内部限制。  IHV 为250uA (典型值) 和500uA (、max)。

    因此、我建议您选择可提供大于500uA 电流的 CIN1/CIN2、以避免较长的 CVDD 充电时间。