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器件型号：TPS73801-SEP 您好；
在航天项目中、我们将使用 TPS73801-SEP。 芯片产生的热量可通过从封装顶部(RθJC (顶部)= 31.1°C/W 或 ψJT = 1°C/W)或底部(RθJB = 5.1°C/W 或 ψJT =5°C/W)传导而消散。 RθJC (top)和 ψJT 之间的巨大差异使我们无法完成设计。 您建议我们怎么做？ 请注意、我们阅读了 SPRA953C
感谢您的提前帮助
Dov Alon
