This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1023475/ref3312-ref3312
您好！
REF3312>上是否有任何有关闩锁的数据
是 CMOS 器件吗？
Munir、您好！
REF3312上是否有任何有关闩锁的数据？
是的、在此产品上收集了最新数据。
数据表中未显示该信息、也未提供该信息。 是否有理由询问该器件是在 CMOS 还是双极工艺中设计的？
本
1) 1)如何获取测试报告
2) 2)双极性不会与重离子锁定、而 CMOS 具有延迟的可能性
您是否在寻找引脚上的闩锁或航天级耐辐射？
电气或空间应用
Ben 和我属于商业电压基准产品线。 我们所有的产品可靠性测试仅涉及引脚闩锁-典型的半导体电流注入类型测试。 如果您寻求太空级耐辐射、我需要询问我们的一个姐妹部门、因此我试图了解您的应用和提出要求的原因。
A lachup 是 CMOS 反向器特性的函数。 我知道电气闩锁是电流注入器件的引脚。 一个器件的所有反相器设计相似。 因此、如果它不能电动锁存、则不会在空间中使用重离子锁存。
如果您需要商业产品可靠性资质认证信息、可在器件的产品文件夹中找到该信息。 为方便起见、REF3312的链接如下： https://www.ti.com/quality-reliability-packaging-download/report?opn=REF3312AIDBZR
TI 在测试闩锁时遵循 JEDEC (JESD78D)标准。 无论用于开发 IC 的过程是 CMOS 还是双极性的、TI 都应用 JEDEC 标准来测试其发布的产品中的延迟。
我的理解有点不同。 引脚上的闩锁不同于器件内部由电离辐射(太空中的 α 粒子)引起的闩锁。 引脚上的电子器件通常采用不同的设计、具有防护环和适当的间距、可通过标准 JEDEC 闩锁测试。 这不一定是关于器件内部的说法。 我希望您不会仅根据引脚上的闭锁性能来假设我们器件的辐射容差。 如果您需要与我们航天电源团队中的某个人讨论此问题、我可以将此主题分配给他们。
此外、除了 Ajay 提到的内容外、器件本身(通常是 CMOS 器件)以及与 NMOS 或 PMOS 器件关联的电容通常与 P+基板抽头连接、以确保不同电容之间的电阻尽可能低、从而减少可能的闩锁事件。
请参阅 下面链接的应用手册中的第21页、了解航空级停机参考列表
https://www.ti.com/lit/sg/slyt532h/slyt532h.pdf?ts=1627905398629&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F
请分享您的应用规格要求、以确定最佳可用解决方案(初始精度、LTD、噪声、温度系数)。 在创新积压中 、我们在塑料封装中提供了航天级系列参考。 如果 您想详细讨论 路线图中的器件、请发送电子邮件至 antony.carvajales@ti.com。
谢谢
安东尼
系统经理
(航天电源)
如果没有其他问题、您能否通过单击每个线程的"已解决"来关闭打开的三个线程？ 我相信安东尼将能够回答您有关航天级产品的问题。
