[参考译文] LM5143DESIGN-CALC：体二极管反向损耗计算

您好、Mia、

感谢您提出有关 LM5143-Q1快速入门计算器的问题。

Q1：体二极管反向恢复会产生电流尖峰、这会增加开关损耗、主要是在高侧 FET 中。 低侧 FET 也存在一些损耗。 我们假设计算器中 FET 之间的分布为2：1。

Q2：如果反并联肖特基二极管与低侧并联、我们假设体二极管的 Qrr 不再适用(即、所有电流在死区时间内传输到肖特基)。 通常情况下、我们不安装该二极管、因为该控制器的死区时间太短(实际上、由于寄生连接电感会阻止全电流传输/换向、该二极管可能不导通)。

此致、

Tim

您好、Mia、

Q1：两个 FET 都具有一体式体二极管、但只有低侧 FET 体二极管与降压稳压器相关。 考虑到低侧 FET 体二极管的反向反冲、前沿电流尖峰更高、因此开关损耗增加。

Q2：您能否检查低侧 FET 的 Qrr。 此外、请看一下 LM5145 5V/20A EVM -鉴于死区时间短、应该不需要反向并联二极管、但如果您认为这可能会带来好处、则可以包含一个反向并联二极管。

此致、

Tim

谢谢、Mia。