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[参考译文] LM25149-Q1：MOSFET Vth 选择

admin
Guru**** 2393725 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25149-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1019333/lm25149-q1-mosfet-vth-selection

器件型号：LM25149-Q1

大家好、团队、

在 LM25149-Q1数据表中、VBOOT-SW-UV-F 为2.59V (典型值)。

这是否意味着我们应该选择 Vth 低于2.59V 的 MOSFET？

谢谢、

Yuta Kurimoto

  • 0
    TI__Guru**** 2393725 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Yuta、您好！

    是使用 Vth 低于2.59V 的 MOSFET。

    如果 BOOT-SW 放电至~2.6V 并且控制器尝试打开 MOSFET、则 RDSON 将更大。

    较大的 RDSON 将增加 MOSFET 损耗。 这只是在 BOOT-SW 重新充电之前增加损耗一会、但可能会降低轻负载效率和压降性能。

    Vth < 2.59V 时、您将获得最佳性能。

    希望这对您有所帮助、

    －奥兰多