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[参考译文] TPS40170：ILIM

admin
Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS40170, LM25145, LM5146, LM5145
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016865/tps40170-ilim

器件型号：TPS40170
主题中讨论的其他器件： LM25145、 LM5146、 LM5145

TPS40170查询

ILIM 电流的温度系数(TC =1400ppm)与整个温度范围内的 ILIM 性能之间有何关系？

在数据表的第8.2.2.14节 ILIM 电阻器(R9、C17)中、对于瞬态恢复、建议允许比最小电流限值高30%、对于 MOSFET 的自发热、建议允许 Rds (on) Q2上升20%。 在建议案文中，它指出20%。 为25%。

2.对于 MOSFET 自发热、建议的 RDS (on) Q2上升幅度是20%还是25%？

3.为什么这些因素是30%和20/25%？

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    您好 Kaithlin、

    MOSFET Rdson 电流感应在整个温度范围内不是超级精确、因为每个 MOSFET 的温度系数(TC)可能稍有不同、具体取决于 FET 中铜和硅的比率。 一般而言、硅的 TC 低于铜、因此 Rdson 的净 TC 在3000-4000ppm/°C 的范围内。

    控制器 ILIM 电流 TC 不同、因为控制器未完全热耦合到 FET。

    另请注意、负载瞬态需要一定的裕度、因为电感器电流将在负载导通瞬态期间过。 为此、我将至少留出30%的裕度。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    感谢您提供此信息。 回答了我的问题。  

    我对  TPS40170还有另一个问题。 在数据表的第7.3.4节中 、说明了 OCP 和 SCP 计算。 我想测量与 OCP 的 ILIM 引脚电压进行比较的电压。

     开关节点(SW 引脚)上的低侧 FET 电压被解释为 电感器电流和低侧 FET 导通电阻 RDS (ON)的乘积。

    当 LDRV 在消隐时间后导通时、您建议我们如何准确测量开关节点(SW 引脚)的低侧 FET 电压？

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    您好、Kaitlin、

    最好在较低的输入电压下测量该电压、这样探针就不必处理 SW 上的大电压摆幅。 压降是 MOSFET Rdson 乘以瞬时电感器电流(平均值与 Iout 等效)。

    BTW、如果这是一种新设计、我建议使用 LM25145 (42V)、LM5145 (75V)、LM5146 (100V)控制器系列。 这些器件与 TPS 器件具有相同的控制环路架构、但以更低的成本提供更高的性能。

    此致、

    Tim