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[参考译文] BQ78350-R1:CTO 标志

Guru**** 2609775 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1015530/bq78350-r1-ctos-flag

器件型号:BQ78350-R1

当我使用 FET_EN 导通 FET 时、它不会导通 FET (不稳定行为)。 但是、如果我使用 DSG_FET_TOGGLE 和 CHG_FET_Toggle、它会打开。 此外、在几分钟后以3A 电流为电池组充电时、FET 会在 CTO 标志设置的情况下关闭。CTO 阈值为2500mA、我想知道是否需要设置此值超过充电最大电流? 但是、我之前没有对 CTO 参数进行任何更改、就没有经历过相同的行为。

当使用 FET_ENABLE 启用时、这是放电 FET 栅极和源极之间的波形。FET_ENABLE 和 DSG_Toggle 之间的唯一区别是 FET_EN 中的 CHG_FET 和 DSG_FET 同时导通。

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这是使用 DSG_Toggle 时的情况。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Vinay:

    我不建议使用诸如 CHG_FET_TOGGLE 和 DSG_FET_TOGGLE 之类的 FET 测试命令。 它们用于在制造过程中测试 FET、但不用于应用中的运行。 FET_EN 位是启用 FET 的正确方法。

    如果有可触发 FET 关断的保护功能、则会禁用 FET。 您可能需要收集此行为的日志文件、其中包括所有安全警报和安全状态寄存器。 CTO 阈值可能可以、但 CTO 持续时间设置为多少? 这种保护措施旨在防止充电时间超过设定的时间。

    此致、

    Matt