[参考译文] CSD19534KCS：MOSFET 中的发热计算。

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器件型号：CSD19534KCS
主题中讨论的其他器件： CSD19536KCS

您好！

我们正在为汽车应用构建 BMS、这些应用需要使用驱动器 MOSFET 来控制充电和放电路径。该驱动器的要求是15A 和42V。我们期待在我们的设计中选择此"CSD19534KCS "器件、以实现相同的目的。

我们如何计算 MOSFET 在(满载时)承载15A 电流时产生的热量？

我们的想法是并联 MOSFET 以承载相同的电流和更少的热量、我们希望知道如何计算该 MOSFET 的热量产生、从而满足热要求。

×我们需要通过电源路径传导大约100A 的电流，是否可以使用3 CSD19534KCS MOSFET？

谢谢你

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2382630 points

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Prabhu、您好！

感谢您关注 TI FET。请注意、我们的所有 FET 都不符合汽车标准、也没有计划针对任何 TI 分立式/电源块 MOSFET 产品完成汽车认证。充电和放电 FET 中的功率耗散纯粹是 I^2 x Ron 导通损耗。 VGS = 10V 时、CSD19534KCS 最大导通电阻为16.5mΩ Ω。假设 TJmax = 125°C、导通电阻正温度系数约为1.8 (请参阅数据表中的图8)。负载为15A 的单个 FET 的功耗：PCOND = 15A x 15A x (16.5mΩ Ω x 1.8)= 6.7W。该 FET 采用可热插接 TO220封装、使用设计合理的散热器时功率损耗会更高。

3个并联 FET 的功耗为100A：PCOND = 100A x 100A x (16.5mΩ Ω x 1.8)/3 = 99W 或33W/FET。即使使用散热器、我也不认为 CSD19534KCS 会消耗这么多功率。通过使用导通电阻较低的 FET (例如 CSD19536KCS (VGS = 10V 和4.8W 时最大值为2.7mΩ Ω)和/或并联更多 FET、可以降低导通损耗。

有一个基于 Excel 的负载开关 FET 选择工具、可用于估算多达3种不同 TI FET 解决方案的功率损耗。

此致、

John Wallace

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