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[参考译文] BQ25708：MOSFET 栅源极电压限制

admin
Guru**** 657930 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1136836/bq25708-mosfet-gate-to-source-voltage-limits

器件型号：BQ25708

由于供应链问题、我们希望在发货产品中替代 MOSFET。 对于最大栅源电压为正负12伏的 MOSFET、测试似乎很好、但我们的现有设计使用正负20伏的器件。 测试似乎正常、在示波器上看起来正常。 由于高侧栅极相对于接地超过12伏(尽管我们不认为这是一个问题)、因此我们只稍微关注可能的边沿条件。 希望我们可以从您那里获得验证...

我们的设计具有14V 输出、输入电压范围为8V 至24V。

提前感谢您的支持！

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    TI__Guru**** 657930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Mike：

    我们 不建议使用最大额定值低于预期用例的 MOSFET。 我们建议对20V 输入使用30V FET。

    谢谢、
    Khalid

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    TI__Guru**** 657930 points
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    您好 Khalid、

    感谢你的答复。 很抱歉、我的问题不太清楚...
    我们考虑的 MOSFET *是* 30V MOSFET。 我们唯一关心的是"栅源极"电压。 以下是数据表链接：
    https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/transistor/mosfet/rq3e180ajtb-e.pdf

    您能告诉我我们是否应该对此器件有任何疑问？

    谢谢、

    -Mike

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    TI__Guru**** 657930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mike、

    感谢您的澄清、我可能会误解您的原始问题。 VGSMax 为12V 的 FET 应该正常。

    谢谢、

    Khalid