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[参考译文] UCC5350:使用单个栅极驱动器驱动三个 SIC MOSFET。

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC5350
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1137451/ucc5350-drive-three-sic-mosfets-with-a-single-gate-drive

器件型号:UCC5350

您好!

我想知道是否可以使用单个栅极驱动器(UCC5350)并联驱动所有三个 SIC MOSFET。 我是否需要在每个栅极上添加 PNP?

此致、

Ikenna。

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    您好、Ikenna、

    感谢您的提问! 是的、使用此器件可以一次驱动三个 FET。 需要考虑的是、由于有三个 FET、因此将有三个电容器进行充电和放电。 这将减慢导通和关断时间。 另一个需要考虑的因素是热性能。 三个电容器的功率损耗将大三倍、您必须确保其处于建议的安全热额定值范围内。  

    还建议为每个栅极使用 PNP。 这里有一个以前的 E2E 、因此您可以查看它以了解更多信息。 也是一篇文章、其中包含有关此主题的重要信息。

    此致、

    Akshat

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    您好、Akshat、

    感谢您回答我的问题、但我还有其他问题要问。 我知道、由于我有三个并联的 SIC MOSFET、这将增加驱动电流。 我想知道如何计算驱动电流。 我知道我用于开关 FET 的频率和总栅极电荷(Qg)。 我只需要知道公式、以确保我计算的是正确的东西。

    如果我在每个钳位中使用电阻器而不是 DON 建议的 PNP、会发生什么情况? 为了让您知道、这是一个功率高达60kW 的大功率电路板。 我希望在测试高电压和高电流时不会出现栅极驱动问题。

    此致、

    Ikenna

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    您好、Ikenna、

    还有其他因素会影响栅极驱动、而这些因素只能通过计算来完成。 本文 可以解释栅极电阻器选择、因为它是确定栅极驱动强度的最重要因素。 这里 还有另一篇文章、可帮助您了解和计算/测量栅极驱动强度。

    此外、PNP 晶体管和电阻器也可以实现电路。 然而、PNP 晶体管比简单的电阻器具有更好的性能、可以控制电流。 这就是我们推荐 PNP 的原因。

    此致、

    Akshat

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    您好、Akshat、

    再次感谢您的帮助。 如果连接 PNP 的正确方式、您能帮助我检查此图像吗? 这将连接到我的 SIC MOSFET。

    OUT_A:来自栅极驱动器的输出信号。

    G1:连接到 SIC MOSFET 的栅极。

    com_1、K1:连接到 SIC MOSFET 的开尔文引脚。

    此致、

    Ikenna。

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    您好、Ikenna、

    是的、这应该可以正常工作!

    此致、

    Akshat