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[参考译文] LP8556:QFN 封装的电流限制最小值和最大值

Guru**** 669750 points
Other Parts Discussed in Thread: LP8556SQ-EVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1134653/lp8556-current-limit-minimum-and-maximum-value-for-qfn-package

器件型号:LP8556

大家好、

在数据表中、显示了 DSBGA 封装的电流限制最小值和最大值。 我想知道 QFN 封装的最小值和最大值。

此致、

Peter

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    尊敬的 Peter:

    QFN 封装的电流限制与 DSBGA 封装相同。

    BR

    Patrick

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    尊敬的 Patrick:

    感谢您的回答。 现在我有另一个问题。 我需要余量电压的典型值。 首先、我将亮度设置为100%、我看到余量电压从540mV 上升到720mV。 然后我将亮度设置为75%、余量电压降至624mV。 但当我继续将亮度设置为50%时、余量电压会上升至650mV。 最后、我将亮度设置为25%、余量电压为637mV。 根据我的理解、余量电压和输出电流是正相关的。 为何75%余量电压小于50%余量电压? 在什么情况下、您得到了余量电压的典型值?  

    我的测试环境:VIN=3.3V、VDDIO=3.3V、Imax=23mA、自适应控制。

    此致、

    Peter

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    尊敬的 Peter:

    与余量相关的寄存器设置是什么?

    BR

    Patrick

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    尊敬的 Patrick:

    图片如下。 此外、余量电压始终会在一段时间后升高。  可能是因为用于使电流阱具有正温度系数的 MOS。  对吗?

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    尊敬的 Peter:

    上面提到的余量电压、它们都来自最小 VFB 引脚吗?

    BR

    Patrick

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    尊敬的 Patrick:

    我使用 LP8556SQ-EVM 进行测试、其原理图如下所示。 我测试了 LED1和 GND 之间的电压、因为它是共阴极电路、所以 LED 和 GND 之间的电压是余量电压。

    此致、

    Peter

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    尊敬的 Peter:

    我知道什么是余量电压。 我是说您应该测量具有最小余量电压的 LED 通道。

    BR

    Patrick

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    尊敬的 Patrick:

    希望我完全理解您的意思。 我刚刚测试了所有六个通道的 VHR、并在下面列出了一个列表。  

    我仍然在25%、50%、75%和100%亮度下进行了测试。 似乎通道5具有最小余量电压。 导致余量电压差异的因素是什么? 所有通道都具有50%亮度 VHR 大于25% VHR 的特性。

    此致、

    Peter

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    尊敬的 Peter:

    由于 LED 之间的参数差异、并非每个通道都具有相同的 VHR。

    但为什么75%亮度下的 VHR 低于50%和25%、我需要进一步分析。

    BR

    Patrick  

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    尊敬的 Peter:

    您是否曾尝试将占空比降低10%或5%、因为我认为每步进25%的占空比可能太大。

    您能否将占空比从0%增加到100%、以查看这种转变是否相反?

    我认为通过进行这两项测试、您可以使结论更加困难。

    BR

    Patrick

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    尊敬的 Patrick:

    我注意到、当 I_BOOST_2X = 1时、数据表仅给出 ISW_LIM 的典型值、我想知道它的最小值和最大值。

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    尊敬的 Peter:

    几天前、我也很厌倦了找到这些数据、但找不到任何与 QFN 封装相关的材料。 如果我将来能找到这些数据、我会告诉您。

    BR

    Patrick