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器件型号：LM5069 主题中讨论的其他器件： TPS2491
大家好、我们目前正在使用 LM5069-2重新设计热插拔控制器。 旧的热插拔控制器是 TPS2491。 我们不会更改 MOSFET。 我使用 LM5069和 TPS2491的设计工具进行比较。
我有几个问题。
1、即使我们使用相同的 MOSFET、为什么 TPS2491和 LM5069的建议压摆率不同？
2.我观察到、在采用 TPS2491的设计中、我们已经大大超过了压摆率、但 SOA 裕度是1.5、这是很好的。 我观察到、随着压摆率的增加、SOA 裕度也在增加。 建议的最大压摆率值是如何得到的、如果我们超过该值、会发生什么情况？
3.对于 LM5069设计、建议的最大压摆率为4V/ms。 当我将 SS 电容器值保持为4时、启动 FET 功率图显示、在开始时、功率耗散约为28W。 但是、如果我将功率限制保持在17W、它会进入功率限制模式吗？它会对软启动产生任何影响吗？
e2e.ti.com/.../0447.TPS249x_5F00_8x_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_B.xlsxe2e.ti.com/.../1581.LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_C.xlsx
我已附上设计文件。
