请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
常见问题解答：如何计算半桥驱动器应用中自举电容器的放电
半桥电路中有一些元件会影响自举电容器的放电、了解这些元件有助于确保 HB-HS 电压在运行期间始终保持高于 UVLO 阈值。 对自举电容器放电的主要元件包括：
1. FET Qg 充电：立即下降，发生在高侧驱动器输出的上升时间。
- 使用 Q=C*V 时，立即的压降为 V=Q/C，其中：
- “Q”是 FET 的栅极电荷
- “C”是自举电容器的电容
- “V”是由于 FET Qg 充电而导致的自举电容器上的直接压降
HB 静态电流：它将长时间缓慢地使自举电容器放电。
- 使用 IT=CV 时、在特定时间间隔内由于 HB 静态电流而产生的压降为 V=IT/C、其中：
- “I”是驱动器的 HB 静态电流
- “T”是电容器放电至“V”电平所需的时间
- “V”是“T”时间间隔后电容器中的压降
- “C”是自举电容器的电容
栅源电阻器(如果使用)：它将随着时间的推移对自举电容器放电。
- 特定时间间隔内的压降可按照与使用 V=IT/C 时 HB 静态电流(上面的#2)相同的方法进行估算、其中：
- “I”是流经栅源电阻器的电流。 为了简化、使用初始 HB 电压除以电阻值来计算电流
- “T”是电容器放电至“V”电平所需的时间
- “V”是“T”时间间隔后电容器中的压降
- “C”是自举电容器的电容
增加1中计算出的直接压降以及2和3中计算出的电压随时间放电不应超过 HB 引脚上允许的压降、以确保高侧驱动器在高侧通道处于工作状态期间保持高于 UVLO 打开。 对于低开关频率应用、例如电机驱动、栅源极电阻器会产生很大的影响。
如果您对本主题或任何其他主题有其他疑问、请发布新的/相关问题、我们的团队将乐意为您提供帮助。
