[参考译文] TPS65218D0：迟滞是固定的还是取决于压摆率？

您好 Muriel、感谢您重点介绍这一点。 我们团队的 Brenda 正在调查这一情况、并将在本周提供反馈。

您好 Muriel、

感谢您在 E2E 上发布问题。 如果 IN_BIAS 压摆率> 30V/s、TPS65218D0的电源轨应在 VUVLO 上电；如果 IN_BIAS 压摆率< 30V/s、则应在 VUVLO+VHYST 上电 下面 我列出了其他意见和问题：

• 您使用什么条件来定义"TPS65218D0启动"？ 由于 UVLO 是一个内部信号、因此很难捕捉上电期间 UVLO 处于非活动状态的确切时间。
• 当您在 IN_BU 中使用不同的压摆率时、您是否看到主电源和要打开的第一个电源轨之间存在时序差异？ 还是 一切 都相同？
• UVLO 电压阈值和迟滞都是固定的。 您可以使用 CONFIG1寄存器上的位1-0来选择2.75V、2.95V、3.25V 和3.35V 之间的 UVLO 设置。 此外、您还可以使用 CONFIG2寄存器上的位6来选择200mV 至400mV 之间的 UVLO 迟滞。 很遗憾、我们的数据表更新未能很清楚地反映此信息。 我将向团队提供此反馈。  
• 您能否提供两个上电捕获(至少包括 IN_BIAS、第一个开启的稳压器 PWR_EN 和 nWAKEUP)？

谢谢、

Brenda

您好、Brenda、

感谢您的回答。 关于您的问题：

• 我的"状况"相当简单。 电源轨打开、或者它们没有打开。
• 实际上、我不是在调整压摆率、而是不断地使用远高于30V/s 的压摆率 我只是调整我施加的电压，希望电源轨在 VUVLO 打开 。
• 我读出了所有寄存器、并更改了 CONFIG2中的迟滞值、以确保我看到的行为实际上是由 VHYST 引起的。 这意味着、当我将  VHYST 设置 为400mV 时、电源轨在大约3.15V 时打开、当我将  VHYST 设置 为200mV 时、电源轨在2.95V 时打开
• 好的、那么在下面我附加两个捕获。 第一个条件具有以下前提条件：UVLO = 2.75V、HYST = 200mV、IN_BIAS = 2.93V (在电源上读取、而不是示波器读取、这是不精确的)：
  
  第二个具有以下先决条件：UVLO = 2.75V、HYST = 200mV、IN_BIAS = 2.4V：
  
  当在电源轨开启后读取寄存器时、我得到：
  ChipID = 0x05
  状态= 0xA8
  enable1 = 0x3F
  Enable2 = 0x13
  CONFIG1 = 0x4C
  Config2 = 0x80 (这是我在使用 I2C 时所做的唯一更改、设置 HYST = 200mV)
  配置3 = 0x00
  
  所有其他的都是其复位值
  
  当我将 Config2更改为0xC0时、行为完全相同、只是在3.15V 时开启
  
  (BTW：通过 DCDC4的输出电压上拉唤醒。 因此、如果电源轨不启动、它就不能变为高电平)

尊敬的 Mauriel：

感谢您提供示波器捕获！

我看到 IN_BIAS 和 PWR_EN 同时斜升、使能引脚的 VIH 为1.3V。 我怀疑这使我们无法在压摆率高于或低于30V/s 时看到差异 我将在下周初的实验室中对此进行验证、并将在周三(9月24日)之前提供更新。  

谢谢、

Brenda

你(们)好

仅供您参考：我使用不带 D0的 TPS65218重复测试、采用完全相同的设置和几乎相同的布局(PGOOD 输出和 PWR_EN 发生微小变化、但不会改变芯片的行为)。 测量结果完全相同、只是电源轨在2.74V 时开启。 因此、这款较旧的芯片未按预期考虑迟滞。

ChipID = 0x3、其他寄存器与较新芯片相同。

您好 Muriel、

感谢您的更新！ 我在最后仍在检查这个 正如我在前一条消息中提到的、 由于 UVLO 是内部信号、因此捕获 UVLO 变为非活动状态的时间将非常困难。 不过、我今天使用  压摆率小于30V/s 的 TPS65218EVM-100进行了快速检查 、 并在 UVLO+Hyst 打开了 DCDC6 (分配给选通1的稳压器)(请参阅下面的示波器捕获)。 在为 IN_BIAS 供电之前、您是否能够在"D0"器件具有 PWR_EN 高电平的情况下进行相同的捕获(相同的信号)？ 如果您可以进行两次捕获、一次是针对>30V/s 的压摆率、第二次是针对<30V/s 的压摆率、这将非常有帮助。   

根据 NVM 设置：UVLOHYS=400mV/UVLO=2.75V

CH2：IN_BIAS / CH1：PWR_EN / CH3：DCDC6/CH4：nWAKEUP  

谢谢、

Brenda

您好、Brenda、

好的、我能够进行一些测量、但我可以准确地重复您的测量。 首先、我的 nWAKEUP 仍由 DCDC4上拉、因此没有变化。

其次、我没有测量 DCDC6、而是 LDO。 DCDC6在选通信号1上、但通过 enable1禁用、位 DC6_EN 设置  PGOOD_BU 而不是 PGOOD、并且我不使用它、我感兴趣的电源轨是按照9月18日数据表第28页中的说明启动的电源轨。

我在提供 IN_BIAS 之前进行了设置 PWR_EN 的测量、压摆率为25V/s、压摆率为300V/s 同样、对于这两种情况、电源轨在大约2.95V 时打开、因此 UVLO + UVLOHYS。

从 NVM 设置中： UVLOHYS=200mV /  UVLO=2.75V

CH1：IN_BIAS / CH2：PWR_EN / CH3：LDO/CH4：nWAKEUP

压摆率为25V/s、电源轨开启、IN_BIAS 最大值 2.95V 左右时的电压：

转换率为300V/s、电源轨开启、IN_BIAS 最大值 2.95附近时的电压：

您好 Muriel、

感谢您的更新。 当压摆率高于和低于30V/s 时、PMIC 会同时打开、这一点让我有点惊讶 我相信在使用 IN_BIAS 上的~5V 电压进行验证时确实看到了差异、但我将再次验证、并在 2-3个工作日内(在10月6日至21日之前)提供更新  

谢谢、

Brenda