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[参考译文] LM25066：T2浪涌限制时序

admin
Guru**** 2387830 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1040584/lm25066-t2-inrush-limiting-timing

器件型号：LM25066

您好！

谢谢、您能否提供 T2时间或如何计算？

时间与计时器外部电容器相关？

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    TI__Guru**** 2387830 points
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    您好、Jim、

    感谢您与我们联系。

    如果器件直接进入电流限制(ILIM ×VDS < PLIM)、则可以 使用以下公式计算 T2。

    但是、对于大多数设计、ILIM ×VDS > PLIM、因此热插拔将从功率限制开始并转换到电流限制。 在这种情况下、可以使用以下公式计算估算的开始时间(T2)。  

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    TI__Guru**** 2387830 points
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    您好、Pal、

    感谢您的快速响应。

    还有一个问题、 从器件使 EN 变为高电平到输出电压开始上升的延迟时间是多少？

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    TI__Guru**** 2387830 points
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    您好、Jim、

    μs 1：如果在 EN 变为高电平之前插入延迟时间结束、则 EN 变为高电平后开始输出电压上升所需的时间为8 μ s +为 MOSFET 栅极充电所需的时间超过其阈值电压(VGSth)。


    情况2：如果在 VIN 超过其 POR 阈值之前使能端变为高电平、 EN 变为高电平后、开始上升输出电压所需的时间是超过 VIN POR 阈值所需的时间+插入延迟时间+为 MOSFET 栅极充电所需的时间超过其阈值电压(VGSth)。


    案例3： 如果在 EN 变为高电平时插入延迟时间未结束、则 EN 变为高电平后开始输出电压上升所需的时间是插入延迟的剩余周期+为 MOSFET 栅极充电至高于其阈值电压(VGSth)所需的时间。