主题中讨论的其他器件: CSD17578Q3A
您好!
我们希望 使用 CSD16411Q3 代替 CSD17578Q3AT。它们在技术上看起来是一样的、但如果我们可以将其用作直接替换、则需要您的确认。
请帮助。
谢谢你。
此致、
Pramod
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您好!
我们希望 使用 CSD16411Q3 代替 CSD17578Q3AT。它们在技术上看起来是一样的、但如果我们可以将其用作直接替换、则需要您的确认。
请帮助。
谢谢你。
此致、
Pramod
Pramod、
感谢您使用我们的 FET。 在考虑更换 MOSFET 时、一个 MOSFET 的大部分功能 o 更换另一个不仅取决于参数比较、还取决于应用和器件的使用方式。 最后需要检查封装/封装兼容性。
1.器件参数:-下面有一个表格比较了这两个器件,您可以看到 CSD16411Q3是25V 与30V CSD1758Q3A (因此,如果您在应用中有开关尖峰,则需要注意较低的 MOSFET 击穿电压), 此外,CSD16311Q3是一个不同的电压阈值(这意味着它将在稍晚的时候打开),它具有~1/2 - 1/3的电荷(这意味着它将更快地切换),它具有更高的电阻(这意味着它将具有稍高的传导损耗)。 所有这些因素都可能会影响您的应用、也可能不会影响您的应用、并使器件成为合适的替代器件。
2.应用:根据您使用 MOSFET 的方式、将取决于器件在应用中的性能、这会受到栅极驱动器、布局和所用电路/应用类型的影响。 我们在这里有一系列基于应用的 MOSFET 选择工具 ,如果您向下滚动页面并转至工具,您将找到多种工具,按应用选择 MOSFET。 这些工具为比较 MOSFET 的尺寸、成本和性能提供了一种非常简单快捷的方法。 通过这种方法、您可以比较这两个 FET 的损耗、并从功率损耗角度查看 CSD16411Q3是否是可能的替代器件。
3.封装尺寸:-如果您遵循了我们数据表中的 PCB 尺寸建议,则 CSD16411Q3和 CSD17578Q3A 是封装兼容的。
总之、我认为 CSD16411Q3可能是 CSD17578Q3A 的潜在替代产品、但鉴于所提供的信息以及 PCB、器件和应用差异、无法保证这一点。
我建议您确定 CSD16411Q3的功率损耗是否在您的应用中正常、请确保您不超过任何数据表参数、如 BVds、 VGS ETC 然后尝试在您的电路中使用器件来验证这一点、因为 PCB 布局等其他因素会影响 MOSFET 开关/性能的方式。
器件型号 | VDS (V) | VGs=4.5V 时 RDS (on)最大值(m Ω) | VGs=10V 时 RDS (on)最大值(m Ω) | IDM、最大脉冲漏极电流(最大值)(A) | QG 典型值(NC) | Qgd 典型值(NC) | 封装(mm) | VGS (V) | VGSTH 典型值(V) | ID、受芯片限制、Tc=25°C (A) | ID、封装受限(A) |
CSD17578Q3A | 30 | 9.4. | 7.3. | 142. | 7.9 | 1.7. | SON3x3. | 20. | 1.5 | 54 | 20. |
CSD16411Q3 | 25 | 15. | 10. | 138. | 2.9. | 0.7. | SON3x3. | 16. | 2. | 56. | 60 |
但愿这对您有所帮助
如果 您有任何其他问题、请告知我们
此致
Chris