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[参考译文] CSD16411Q3:CSD16411Q3

Guru**** 661510 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD16411Q3, CSD17578Q3A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1039277/csd16411q3-csd16411q3

器件型号:CSD16411Q3
主题中讨论的其他器件: CSD17578Q3A

您好!

 我们希望 使用 CSD16411Q3  代替  CSD17578Q3AT。它们在技术上看起来是一样的、但如果我们可以将其用作直接替换、则需要您的确认。

请帮助。

谢谢你。

此致、

Pramod

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Pramod、

    感谢您使用我们的 FET。 在考虑更换 MOSFET 时、一个 MOSFET 的大部分功能 o 更换另一个不仅取决于参数比较、还取决于应用和器件的使用方式。 最后需要检查封装/封装兼容性。

    1.器件参数:-下面有一个表格比较了这两个器件,您可以看到 CSD16411Q3是25V 与30V CSD1758Q3A (因此,如果您在应用中有开关尖峰,则需要注意较低的 MOSFET 击穿电压), 此外,CSD16311Q3是一个不同的电压阈值(这意味着它将在稍晚的时候打开),它具有~1/2 - 1/3的电荷(这意味着它将更快地切换),它具有更高的电阻(这意味着它将具有稍高的传导损耗)。 所有这些因素都可能会影响您的应用、也可能不会影响您的应用、并使器件成为合适的替代器件。

    2.应用:根据您使用 MOSFET 的方式、将取决于器件在应用中的性能、这会受到栅极驱动器、布局和所用电路/应用类型的影响。  我们在这里有一系列基于应用的 MOSFET 选择工具 ,如果您向下滚动页面并转至工具,您将找到多种工具,按应用选择 MOSFET。 这些工具为比较 MOSFET 的尺寸、成本和性能提供了一种非常简单快捷的方法。 通过这种方法、您可以比较这两个 FET 的损耗、并从功率损耗角度查看 CSD16411Q3是否是可能的替代器件。

    3.封装尺寸:-如果您遵循了我们数据表中的 PCB 尺寸建议,则 CSD16411Q3和 CSD17578Q3A 是封装兼容的。

    总之、我认为 CSD16411Q3可能是 CSD17578Q3A 的潜在替代产品、但鉴于所提供的信息以及 PCB、器件和应用差异、无法保证这一点。

    我建议您确定 CSD16411Q3的功率损耗是否在您的应用中正常、请确保您不超过任何数据表参数、如 BVds、 VGS ETC 然后尝试在您的电路中使用器件来验证这一点、因为 PCB 布局等其他因素会影响 MOSFET 开关/性能的方式。

    器件型号 VDS (V) VGs=4.5V 时 RDS (on)最大值(m Ω) VGs=10V 时 RDS (on)最大值(m Ω) IDM、最大脉冲漏极电流(最大值)(A) QG 典型值(NC) Qgd 典型值(NC) 封装(mm) VGS (V) VGSTH 典型值(V) ID、受芯片限制、Tc=25°C (A) ID、封装受限(A)
    CSD17578Q3A 30 9.4. 7.3. 142. 7.9 1.7. SON3x3. 20. 1.5 54 20.
    CSD16411Q3 25 15. 10. 138. 2.9. 0.7. SON3x3. 16. 2. 56. 60

    但愿这对您有所帮助

    如果 您有任何其他问题、请告知我们

    此致

    Chris

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Pramod、

    我是 Chris 的应用工程师。 由于我们尚未收到响应、我假设您的问题已得到解决、并将关闭此主题。 如果您有其他问题、您可以随时重新打开它。

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用