您好、TI 专家、
我发现除 TAO 高故障外还有 TAO 低故障、但这很难理解、因为如果一相功率级 TAO 引脚为高电平、控制器的 TAO 输入应变为高电平。
只有当所有相位 TAO 变为低电平时、我们才能看到 TAO 低电平故障。 这对应用有何意义? 我不这么认为。
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您好、TI 专家、
我发现除 TAO 高故障外还有 TAO 低故障、但这很难理解、因为如果一相功率级 TAO 引脚为高电平、控制器的 TAO 输入应变为高电平。
只有当所有相位 TAO 变为低电平时、我们才能看到 TAO 低电平故障。 这对应用有何意义? 我不这么认为。
你(们)好
我无法完全理解您的解释、需要您的进一步帮助。
实际上、Oring-FET 功能就像一个理想的二极管、温度感测将由 Tao 电压最高的 DrMOS 报告。 当任何一个相位报告 TAO 为高电平时、 TMON 将获得高电压。
因此、我们可以得出如下的内部结构结论、这就是为什么我在这里为 TEMP SENSE 和 OC/OT 并联抽取二极管的原因... 保护等。
对于"未就绪" TAO 低电平条件、我们只能将所有相位 TAO 灌入"错误"相位 TAO 以查看低电压。 否则、一个相位无法拉低 TMON 引脚。
这些是我对 TAO/TMON 关系的理解。 如有任何问题、请帮助纠正。