[参考译文] LM5141：过冲会导致器件损坏

Yantao 您好、

这里的主要问题是 MOSFET 栅极阈值和米勒平坦区电压过高。 对于5V 栅极驱动、米勒平坦区应为2-3V、但对于所选 FET、更像是4.5V：

您应该选择 Rdson 额定电压为 Vgs = 4.5V ("L"通常在 Infineon 的器件型号中)的逻辑电平 FET。 CSD18563Q5A 或类似的60V NexFET 也可在此处工作。

就 Vout 过冲而言、请检查 COMP 电压是否饱和且需要一些时间恢复低电平(例如在压降下运行时)。 如果 COMP 电压摆幅低到限制占空比所需的时间过长、请增大 Rcomp 并减小 Ccomp 值。 此外、更高的 Cout 对于该440kHz 设计也很有用-尝试100uF/6.3V、而不是22uF/25V。 使用快速入门计算器辅助组件部分、并输入陶瓷电容随电压降额的值。

以下是有关此设计的一些进一步评论：

10nF 电阻器电容看起来很低。

低侧下拉栅极电阻器应为0欧姆(当 SW 摆动到高电平时、使低侧栅极保持低电平)。

无需低侧 FET 反向并联二极管-在短死区时间内不会导通。

确保 Vin > VSYS_5V。

此致、

Tim

Yantao 您好、

您可以测量 comp、以查看在压降下运行时它是否饱和。 恢复到0V 的时间是过冲的持续时间--这是由高 Rcomo、低 Ccomp 最大程度地减少的。 使用快速入门计算器查找使环路交叉尽可能高的最佳值、例如、对于此440kHz 设计、为80kHz。 只需确保正确输入输出电容器(施加电压时、请降额陶瓷电容器)。 Rcomp*Ccomp 时间常量应为~25us。

此致、

Tim

Yantao 您好、

交叉频率在109kHz 时太高、相位裕度太低、因此会出现振铃响应。

交叉的目标80kHz (绝对最大值为20% Fsw)。 此外、检查 Cout 是否因电压(陶瓷电容器)降额。

此致、

Tim

你好、Tim

感谢您的建议。

我想我们得到了最终的解决方案(这次3号是变化点)。  

1. 将 DEMB 固定为2.5V

2.增加 Rcomp (15k Ω)+减少 Ccomp (2.2nF)+移除 与  Rcomp 和 Ccomp）并联的 CCP (__LW_AT__电容

3.将输出电容器更改为47uF×5.

这些参数解决了该问题、并在81KHz 下获得良好的环路特性（交叉和51°）相位裕度

感谢你的所有帮助。

此致

Yantao  

谢谢、Yantao。