[参考译文] TL783：电位计不断燃烧

尊敬的 Art：

遗憾的是、这是一个非常旧的电路、其设计中包含过时的器件。 我们对客户电路的了解不会比他们更好、因此我们在这里不会提供太多帮助。

此致、

Nick

您好、Nick、

我们高度赞赏任何形式的帮助。 我将引导客户使用此主题。 如果他们解释他们的用例、可能会变得更清楚。

谢谢、此致、

艺术

我要使用的电路概述是1.25至120可调直流电源，能够提供高达10安培的电流。 此时，我只是想让可调部件正常工作，而不是吸烟电位计。 如果没有导通晶体管电路、它似乎可以正常工作、但一旦我将其添加到混合中、我就会排出烟雾。 如果这种设计无法实际工作，我愿意尝试其他设计，但我想了解这种情况的发生原因。  

尊敬的 Art：

我不是专家、但我想您省略的三极管功能是电流限制。 当 TL783的 IN 端口消耗大量电流时、｛我认为 这行是错误的：[此三极管打开主三极管。]｝

如果电路 无法更改、我建议尝试减小1k 电阻器、因为它可能会限制电流升压器件的速度、并且通常 MOSFET 的打开速度快于三极管、使得 TL783的内部 MOS 获得大部分负载电流。  这可能是在施加负载时电位计烧断的原因。

请告诉我结果。

谢谢！

除了我甚至没有达到施加任何负载的程度之外，所有这些都是合理的。 我仍处于电路设计阶段，只是尝试在无负载条件下验证电路的功能。 旁路晶体管=烧坏的电位计。 不知道为什么。  

是的、R2、这是10k 欧姆电位器。 当我开始降低电压时、它将会烧坏。  

这就是我的想法，只是不确定需要多高的额定功率。 我尝试了一个额定电压为2瓦的电位计、但遇到了同样的问题。  

此外、请注意 、功率耗散容量可能有温度限制。 您可能需要在电路板上降低最大功耗。

同意。 我想我只是很困惑，为什么在引入旁路晶体管之前我不会遇到这个问题。 它将降低电压，直至 Scott 30-40 v，然后烧毁。 我认为问题不是电位计的额定功率、而是其他问题。 我想我会尝试更高功率的电位器，但我持怀疑态度，直到我能够理解为什么只有在将导通晶体管集成到电路中时它才会出现故障。  

这是您所指的吗？ 只需在数据集中重新读取此内容。

"为了将 II (ADJ)保持在低电平、所有静态工作电流都返回到输出端子。 该静态电流必须被外部负载灌入、并且是防止输出上升所需的最小负载电流。 Ω 的 R1值为82k Ω、可提供15mA 的最小负载电流。 当输入到输出差分电压低于125V (请参阅图12中的输出电流曲线)或负载吸收部分最小电流时，可以使用较大的值。”

目前还不知道。 可能会尝试在 连接晶体管的情况下测量 R1上的电压  、以确保 晶体管 部件按预期工作。

顺便  说一下、高达几安培的大电流流经10Ω Ω、1Ω Ω、而不是 R1、R2。 键入错误、抱歉。

我查看了数据表、但忘记了这一点：  

"为了将 II (ADJ)保持在低电平、所有静态工作电流都返回到输出端子。 该静态电流必须被外部负载灌入、并且是防止输出上升所需的最小负载电流。 Ω 的 R1值为82k Ω、可提供15mA 的最小负载电流。 当输入到输出差分电压低于125V (请参阅图12中的输出电流曲线)或负载吸收部分最小电流时，可以使用较大的值。”

 我在无负载的情况下测试电路设计，因此我认为，根据数据表所说的内容，所有电路电流(在引入导通晶体管时更明显)都将返回到输出端子。 认为这可能是问题所在。 除非我读错了。  

也许您可以通过测量带 或不带晶体管的电路空闲电流来确认它。

目前、我建议 并联多个电位器、或使用其他方法暂时防止电位器烧坏以进行调试。

是的，我会在我回来后立即进行跑步。 不得不离开工作几天。 当我有一些可靠的东西时，我会跟进。 谢谢。