请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：BQ25060 关于 BQ25060EVM、但我要说的是使用 BQ25060进行通用设计、使能电压是使用串联电阻器和齐纳二极管的受保护版本的 VBUS。 由于 LDO 将从 VBUS 产生4.9V/50mA 的稳压电流、并且在 VBUS 处于工作范围内时始终可用、因此 LDO 是否可以作为上拉基准来驱动 EN、使 IC 处于关闭模式？
由于 EN 引脚是整个芯片的使能/禁用引脚、除了外部 P-FET 的 BGATE 驱动、当 EN 为高电平时、不向 VOUT 供电、如果电池电压过低、系统将崩溃。 要创建充电器禁用、但仍允许 IN 至 OUT 路径正常运行、是否可以安全地操纵 TS 引脚来禁用充电功能？ 一种简单的方法是使用 N-FET 将 TS 下拉至接地、这将强制 TS 变热、从而禁用充电器、但仍允许芯片将电源从 VIN 传递到 VOUT。 这种方法是否有问题？
谢谢、
Matt
