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[参考译文] LMG3411R070:应用报告 SNOAA15

Guru**** 1462830 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3411R070
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1028658/lmg3411r070-applicaton-report-snoaa15

器件型号:LMG3411R070

大家好

如果我们问  LMG3411R070、您会介意吗?

应用报告 SNOAA15是"高密度 GaN 电源设计中的过流保护"。
https://www.ti.com/lit/pdf/snoaa15

应用程序说明如下;
'在逐周期运行期间、当 PWM 输入仍然为高电平时、电流达到上限后、
 负载电流可以流过半桥另一个 FET 的第三象限、而无需同步整流。
 漏极到源极的额外高负压降(–6V 至–8V)可能会导致第三象限损耗高、类似于死区时间损耗、但时间更长。  
 因此、设计控制方案以确保逐周期模式下的开关周期数受到限制至关重要、  
 或根据故障信号更改 PWM 输入、以缩短功率级第三象限导通模式下的时间。"

我们无法理解"第三象限"和"第三象限损耗"这两个词。
您能给我们这些含义吗?

此致、

大田松本

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Hirotaka 您好、感谢您的提问。  

    术语"第三象限"是指反向通过 GaN FET 的电流传导、即从源极到漏极。 对于 MOSFET、当电流通过体二极管或通道从源极流向漏极端子时、会发生第三象限运行。 尽管 GaN FET 没有体二极管、但器件的对称性有助于在第三象限中以类似二极管的行为进行传导。 当 VGD = Vgs + VSD > Vth 时、此反向电流传导将启用。  

    当 反向电流流经器件时、由于 VDS 下降较高、因此会出现第三象限损耗。  

    有关 GaN 器件的第三象限操作的更多详细信息、请参阅本应用报告的第2和第3节。   

    此致、

    John