[参考译文] BQ25505：有关 BQ25505和 BQ25504之间 RDS (on)差异的问题

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器件型号：BQ25505
主题中讨论的其他器件： BQ25504

您好！

对于 BQ25505和 BQ25504的 VSTOR 和 VBAT 之间的 MOSFET 导通状态电阻、我有疑问。在 BQ25504的数据表中、仅给出了最大值(2 Ω)、而在 BQ25505、给出了典型值(~1 Ω)和最大值(1.5 Ω)。从该数据可以看出、BQ25505看起来稍微好一些、但 BQ25504是否也有任何典型值？在我的应用中、超级电容器必须为 WiFi 模块供电几秒钟、这似乎是一个非常显著的损耗。我想知道是否有办法最大限度地减少此类损耗、例如绕过该晶体管或使用外部 MOSFET。非常感谢您的建议。谢谢你。

Eric

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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尊敬的 Eric：

BQ25504的典型电阻也为1欧姆。 VSTOR 和 VBAT 之间的 PFET 仅用于欠压保护。如果电池放电至2.2V、则会打开。如果您不需要该保护、则可以将 VSTOR 短接至 VBAT。

此致、

Jeff

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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尊敬的 Jeff：

感谢您的澄清。不过、您的回答让我有点困惑。下图显示了 BQ25505的应用电路、但我认为电路中 BQ25505和 BQ25504的 VSTOR 和 VBAT (_SEC)之间的 PFET 是类似的。

如果我错了、请纠正我的问题。我认为、只要 VSTOR 高于 VBAT_UV + VBAT_UV_HYST 、这两个引脚之间的 PFET 就会打开、并且仅当 VBAT 降至 VBAT_UV 以下时才会关闭。因此、对于这两个芯片、系统负载被设计成直接连接到 VSTOR。 BQ25505提供额外的外部控制 PFET、以通过/VB_SEC_ON 关闭系统负载。

如果情况并非如此、它是否仅依靠体二极管在两者之间进行连接？

在这两种情况下、我认为当系统负载较高时、该 PFET 上的 R (DS)(或体二极管的 VBI)会产生相当大的损耗。

不过、根据您的回答、另一个不相关的问题。如果我使用超级电容器代替电池、那么短路 VSTOR 和 VBAT 是否更好、以便更好地利用存储容量？

谢谢你。

Eric

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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尊敬的 Eric：

您的解释正确。 PFET 体二极管还允许电流从 VSTOR 流向 VBAT、以便为电池充电。如果使用超级电容器或具有保护功能的锂离子电池组、我建议将 VSTOR 短接至 VBAT。

此致、

Jeff

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