This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD17382F4:背靠背 ESD 保护

Guru**** 1135610 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD13381F4, CSD17382F4
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1025345/csd17382f4-back-to-back-esd-protection

器件型号:CSD17382F4
主题中讨论的其他器件:CSD13381F4

您好!  

我设计了一个使用 CSD13381F4的电路。 我通过测试意识到、一旦源极上存在电压、栅极上就会自动产生电压、这使我意识到源极与栅极之间会有一个二极管、该二极管在正向偏置时会导通。 我研究了这款单端 ESD 保护二极管、并在以下位置找到了更多信息: https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/what-type-of-esd-protection-does-your-mosfet-include。 由于二极管允许源极上存在电压、因此我有兴趣消除栅极上存在电压的问题、因此我认为背靠背 ESD 保护适合我的情况。  

请确认吗? 此外、我不太了解这2个二极管如何工作、以及如何使 MOSFET 正常工作。 我选择 了 CSD17382F4、因为它与我实际使用的器件占用空间相同、但我对这些二极管的工作原理感到困惑、并且仍然提供正确的 MOSFET 功能。

我非常感谢你的澄清。

谢谢你。

此致、

Christelle Saliba

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Christelle、您好!

    感谢您关注 TI FET。 CSD17382F4栅极 ESD 结构可视为两个串联二极管、这两个二极管具有共阴极、其中阳极连接到栅极、阳极连接到源极。 无论栅极和源极之间的电压极性如何、一个二极管始终会反向偏置并阻止电流流动。 在 ESD 事件期间、该结构充当背靠背齐纳二极管、钳制栅极-源极电压以保护栅极氧化物。 如您所知、如果源极电压高于栅极电压、单端栅极 ESD 二极管将导通。 CSD17382F4应代替 CSD13381F4、并防止此问题发生。 但是、请记住、B2B 结构的泄漏要高得多;μA 而不是 NA。

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、John、

    感谢您的回复! 我仍然关注阳极位于栅极的二极管。 它会影响 MOSFET 上的 VGS、还是会将 FET 视为在为栅极供电时是单端的 FET。 我对 ID 感兴趣、并且担心第二个二极管会增加问题。

    最棒的

    Christelle

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Christelle、您好!

    B2B ESD 保护不会影响 MOSFET 的 VGS。 您可以驱动该 FET、就像驱动没有 ESD 保护的器件一样。 正如我在之前的响应中指出的、这是一个数据表(IGSS 和 IDSS)中指定的较高泄漏结构。 与单端 ESD 二极管不同、只要电压低于数据表中指定的绝对最大值、负 VGS 就不会导致问题。

    此致、

    John

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    记录良好。 谢谢!