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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1025912/csd25501f3-model-rc-is-not-present-for-positive-gate-voltage
CSD25501F3型号的栅极>源极电压(齐纳正向偏置)没有串联电阻
FET 中是否有次级栅源极二极管(方框图不正确)或模型不正确？
e2e.ti.com/.../CSD25501F3.TSC
尊敬的 Ron：
感谢您的查询。 我想我明白你的观点。 随着 IG1增大且 ESD 二极管结正向偏置、由于钳位电阻器上的压降、VGS 应继续升高。 相反、VGS 被钳位在大约0.76V。 我没有创建这些模型、需要深入研究才能更好地理解。 我打开了模型播放器、将产品开发期间收集的特性数据与模型结果进行比较。 该模型与负方向上的数据非常匹配、但无论是在数据中还是在模型中、都没有像您在此处所做的那样进行正向扫描。 让我做更多挖掘、我很快就会回来。 我将关闭这个 e2e 线程、我们可以通过常规电子邮件处理这个问题。
谢谢、
John Wallace
TI FET 应用
