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[参考译文] UCC27532:VDD 的旁路电容器

Guru**** 2379650 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1025660/ucc27532-bypass-capacitor-for-vdd

器件型号:UCC27532

你好

我对  VDD 的旁路电容器有任何疑问。

1.您是否有有关 VDD 旁路电容值的指南?  

2. VDD 旁路电容的最大值是多少?  

3.如果我增大旁路电容的值、是否会产生副作用?  

此致。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Louis、

    感谢您的支持!

    ----

    1)关于 旁路电容器大小调整指南、请参阅此应用手册: 第3.1.1节-旁路电容器大小调整 

    但是、通常 情况下、0402 100nF 以及1uF 至4.7uF 的电容器是安全的选择。  必须将 VDD 和 GND 引脚上的电容器尽可能靠近 IC 放置;100nF 最靠近 IC、较大的电容器就在 IC 旁边。

    此外、保持布线长度最小且布线宽、以改善噪声滤波。 这些电容器支持在功率 MOSFET 导通期间从 VDD 汲取的高峰值电流

    2) 2)从技术上讲、VDD 电容不存在"最大值"、但使用较小和较大电容的原因是:

    -较小的电容器、例如100nF 电容器;有助于滤除高频噪声

    更大的电容器、例如1uF 电容器、有助于支持低频噪声

    (确保使用陶瓷、低 ESR 电容器)

    3) 3) 如果您只有一个大旁路电容器、则可能不会滤除较高频率的噪声/瞬态。

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    希望这能解答您的问题!  如果是、请按绿色按钮;否则、请随意跟进!

    谢谢、

    Aaron Grgurich