你好
我对 VDD 的旁路电容器有任何疑问。
1.您是否有有关 VDD 旁路电容值的指南?
2. VDD 旁路电容的最大值是多少?
3.如果我增大旁路电容的值、是否会产生副作用?
此致。
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你好
我对 VDD 的旁路电容器有任何疑问。
1.您是否有有关 VDD 旁路电容值的指南?
2. VDD 旁路电容的最大值是多少?
3.如果我增大旁路电容的值、是否会产生副作用?
此致。
您好 Louis、
感谢您的支持!
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1)关于 旁路电容器大小调整指南、请参阅此应用手册: 第3.1.1节-旁路电容器大小调整
但是、通常 情况下、0402 100nF 以及1uF 至4.7uF 的电容器是安全的选择。 必须将 VDD 和 GND 引脚上的电容器尽可能靠近 IC 放置;100nF 最靠近 IC、较大的电容器就在 IC 旁边。
此外、保持布线长度最小且布线宽、以改善噪声滤波。 这些电容器支持在功率 MOSFET 导通期间从 VDD 汲取的高峰值电流
2) 2)从技术上讲、VDD 电容不存在"最大值"、但使用较小和较大电容的原因是:
-较小的电容器、例如100nF 电容器;有助于滤除高频噪声
更大的电容器、例如1uF 电容器、有助于支持低频噪声
(确保使用陶瓷、低 ESR 电容器)
3) 3) 如果您只有一个大旁路电容器、则可能不会滤除较高频率的噪声/瞬态。
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希望这能解答您的问题! 如果是、请按绿色按钮;否则、请随意跟进!
谢谢、
Aaron Grgurich