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[参考译文] UCC27212:输出具有脉冲波

Guru**** 675400 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27212, OPA455, SN6501
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1035848/ucc27212-the-out-put-had-pulse-wave

器件型号:UCC27212
主题中讨论的其他器件: OPA455SN6501

您好,TI 专家:

我使用 UCC27212来控制 MOSFET 的开关、但当我打开高侧 MOSFET 时、HB 引脚  将出现脉冲波、我不会 发生什么情况。 您能帮助分析吗?

2.我尝试将 C8更改为0.5uF、脉冲波形仍然存在。 也将 C7更改为1uF。

下面是原理图  

e2e.ti.com/.../01_5F00_source_5F00_0913.pdf

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    您好!

    感谢您的提问。 您能否明确说明您在电路中测量示波器通道1和通道2上信号的确切位置?

    当 LO 和 HO 进行开关时、晶体管 Q1和 Q2的状态是什么?

    UCC27212上的高侧驱动器使用自举电路为 HB 和 HS 之间的自举电容器充电。 在低侧导通状态(LO =高电平、HO =低电平)期间、自举电容器会充电(请参阅下面应用手册图1中的路径)、因此您需要通过低侧开关具有从 HS 到 GND 的路径、以便为自举电容器充电。  

    然后、在高侧导通状态(HO =高电平、LO =低电平)期间、电容器上的电荷被用来提供 HO 并打开高侧 FET (请参阅下面应用手册的图2)。

    下面是一个描述自举电路以及如何选择组件的应用手册:  https://www.ti.com/lit/an/slua887/slua887.pdf?ts=1631554272309&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F

    关于电容值、请确保 VCC 电容(C7) 至少比自举电容(C8)大10倍。

    此致、

    Leslie

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    您好 Leslie  

     很抱歉让您混淆问题。

    1、蓝色 CH1表示测量 U2-PIN7、黄色 CH2表示测量 U2-PIN2 T1。

    当 LO 和 HO 进行切换时、晶体管 Q1和 Q2的状态是什么?

    >> 当 HO =高电平、LO =低电平时、OPA455将输出0V 至95V 的上升沿、当 LO =高电平、HO =低电平时、OPA455将输出95V 至0V 的下降沿。

    3.在这个电路 中它损坏了一些  UCC27212,您能不能帮助指出这个问题?

    请访问参考设计 https://www.ti.com/tool/TIDA-01418#tech-docs。我是否应该将二极管添加到升压电压中? 我是否应该在 MOSFET 的栅极引脚处添加电阻器?

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    您好!  

    感谢您的详细信息。

    "当 LO =高电平、HO =低电平时、OPA455将输出95V 至0V 的下降沿"->这是否意味着当 LO =高电平且 HO =低电平时、Q1和 Q2晶体管断开? 因此、高侧 Q1源极和低侧 Q4漏极之间没有连接? 我提出的原因是、为了使自举电路正常工作、必须对自举电容器进行充电、当低侧 FET 导通时、此操作将完成、以实现下图所示的充电路径。 但是、如果您的电路中的 Q2和 Q3在 LO 为高电平时断开、则没有自举电路再充电的路径。  

    我们通常建议在电路板设计中为栅极电阻器设置一个占位符、以便在需要时灵活地添加电阻。 栅极电阻器的目的是缩短上升/下降时间 、以限制栅极驱动路径中的噪声和振铃。

    关于二极管、您能否澄清一下您所指的是哪种二极管?  

    此致、

    Leslie

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    您好 Leslie

    请澄清一下您所指的是哪种二极管吗?  

     >>我认为我获得的器件型号 UCC27712QDRQ1不正确。 我们使用的 UCC27212在芯片中包含了二极管。

    这是否意味着当 LO=高电平且 HO=低电平时、Q1和 Q2晶体管打开? 因此、高侧 Q1源极和低侧 Q4漏极之间没有连接?  。

     >>我认为 Q1和 Q2晶体管由 OPA455控制、因此当  LO=High 和 HO=Lo Q1和 Q2晶体管断开时。  

    是否有其他解决 方案可实现此功能。 当为高侧充电的电容打开且低侧关闭时、 电容放电高侧关闭、低侧打开。

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    您好!  

    感谢您提供相关信息。 我们通常不会在高侧和低侧开关之间的路径中添加这些 Q1和 Q2晶体管。 您能否帮助我了解此电路在原理图上的放大器(OPA21921DGK 和 OPA455)和 Q1/Q2的用途?

    关于您的问题:"是否有其他解决 方案可实现此功能" 、您能否澄清您所指的功能?  

    此致、

    Leslie

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    您好 Leslie

    这是另一个讨论 OPA455和 Q1 Q2的主题

    (+) OPA455:电流是分步式的-放大器论坛-放大器- TI E2E 支持论坛

    (+) OPA455:如何提高输出电流-放大器论坛-放大器- TI E2E 支持论坛

    2.我只考虑使高侧导通和低侧关断来为电容充电、而使高侧关断和低侧导通至放电电容。 因为最大频率为2.5Khz、所以它只使用 MOSFET 而不是物理继电器。

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    您好!

    具有运算放大器的电路与 Q1和 Q2看起来是发射极跟随器、可从运算放大器输入的信号中获得更高的电流增益。 半桥驱动器似乎用于打开到 Q1集电极和 Q2集电极的路径。

    我们看到的潜在问题是、要为驱动器 HB 到 HS 电容器充电、需要有一条从 HS 引脚到接地端的路径、这通常在半桥中打开低侧 FET 时发生。 在 HS 引脚接地路径中具有 Q1和 Q2的情况下、我看不到如何使 Q4和 Q1和 Q2导通、从而为 HS 引脚提供一条接近接地的切换路径、这是从 VDD 为 HB 电容器充电所需的 内部自举二极管的电流。

    对于此电路、您可能需要为 HB 至 HS 电容器 充电添加浮动高侧偏置。 SN6501或 SN6505是一种为驱动器提供此浮动高侧偏置的简单解决方案。

    此致、