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[参考译文] TPS51200:REFOUT 电压容差

Guru**** 2535750 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1158892/tps51200-tolerance-of-refout-voltage

器件型号:TPS51200

尊敬的 TI 支持团队:

我认为 REFOUT 容差可能超出 DDR4要求。

下面我举一个例子。 可以吗?

如果您有以下示例、您能告诉我任何信息吗?

- DDR4所需的 VREF

在 VDDQ = 1.14V 的情况下

最小 :0.49VDD = 0.49 * 1.14V =  0.5586V

-数据表中的 REFOUT 容差

在 VDDQ = 1.14V 的情况下

最小 : REFIN - 12MV = 1.14V/2-12MV = 0.5580V < 0.5586V

此致、

日本清水岛

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    Yoshifumi-San、您好、特征参数数据比参数表中的限值好得多。 请查看下面的图表、并告诉我它是否能解答您的问题。

      

    此致

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    您好 Mahmoud、

    感谢你的答复。 我已经检查了图15、但我还不知道为什么会有如下推论。

    6.5电气特性->-12mV -+12mV (-1mA < IREFOUT < 1mA)

    图15 ->-0.5mV -+0.5mV (-1mA < IREFOUT < 1mA)


    如果 IREFOUT 小于1mA、我应该如何考虑总容差、包括温度、可变性等?

    假设-12mV -+12mV (-1mA < IREFOUT < 1mA)包括温度、可变性等、如果 IREFOUT = 100uA、容差是否为600mV - 1.2mV 至600mV + 1.2mV?

    此致、

    日本清水岛

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    Yoshifumi San、您好!

    我检查了特性和仿真数据、对于-10mA 至+10mA 的负载电流、整个温度范围内的宽松限值应该为-15mV 至+15mV。 特征是线性的。 通过使用此数据、数学计算可得出-1mA 至+1mA 负载电流的容差为-1.5mV 至+1.5mV。 对于100uA、容差为0.15mV。 我将仔细检查数据表和图表数据之间的差异。

    如果您的问题得到解答、请关闭已解决的主题、并告知我进一步的支持。

    此致

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    您好 Mahmoud、

    我知道、对于-10mA 至+10mA 的负载电流、特性为-15mV 至+15mV、并且是线性的。

    我的问题在上面得到了解答。 谢谢你。

    此致、

    日本清水岛