尊敬的 TI 支持团队:
我认为 REFOUT 容差可能超出 DDR4要求。
下面我举一个例子。 可以吗?
如果您有以下示例、您能告诉我任何信息吗?
- DDR4所需的 VREF
在 VDDQ = 1.14V 的情况下
最小 :0.49VDD = 0.49 * 1.14V = 0.5586V
-数据表中的 REFOUT 容差
在 VDDQ = 1.14V 的情况下
最小 : REFIN - 12MV = 1.14V/2-12MV = 0.5580V < 0.5586V

此致、
日本清水岛
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尊敬的 TI 支持团队:
我认为 REFOUT 容差可能超出 DDR4要求。
下面我举一个例子。 可以吗?
如果您有以下示例、您能告诉我任何信息吗?
- DDR4所需的 VREF
在 VDDQ = 1.14V 的情况下
最小 :0.49VDD = 0.49 * 1.14V = 0.5586V
-数据表中的 REFOUT 容差
在 VDDQ = 1.14V 的情况下
最小 : REFIN - 12MV = 1.14V/2-12MV = 0.5580V < 0.5586V

此致、
日本清水岛
您好 Mahmoud、
感谢你的答复。 我已经检查了图15、但我还不知道为什么会有如下推论。
6.5电气特性->-12mV -+12mV (-1mA < IREFOUT < 1mA)
图15 ->-0.5mV -+0.5mV (-1mA < IREFOUT < 1mA)
如果 IREFOUT 小于1mA、我应该如何考虑总容差、包括温度、可变性等?
假设-12mV -+12mV (-1mA < IREFOUT < 1mA)包括温度、可变性等、如果 IREFOUT = 100uA、容差是否为600mV - 1.2mV 至600mV + 1.2mV?
此致、
日本清水岛
Yoshifumi San、您好!
我检查了特性和仿真数据、对于-10mA 至+10mA 的负载电流、整个温度范围内的宽松限值应该为-15mV 至+15mV。 特征是线性的。 通过使用此数据、数学计算可得出-1mA 至+1mA 负载电流的容差为-1.5mV 至+1.5mV。 对于100uA、容差为0.15mV。 我将仔细检查数据表和图表数据之间的差异。
如果您的问题得到解答、请关闭已解决的主题、并告知我进一步的支持。
此致