[参考译文] TPS563209：功率损耗计算

您好、Edwin、

请帮助支持此功能？

BRS

卢西亚

您好！

对于功率损耗、您可以使用以下公式。

开关损耗=裸片损耗-导通损耗。  

导通损耗=(TON*高侧 RDSon * IO+Toff *低侧 RDSon * IO)/T

裸片损耗=总损耗-电感器损耗

您好、Holly、

您能否通过以下示例进行解释、

输入- 5V

输出-3.3V/2A

您选择合适的 L/C 并将功率损耗与计算进行共享、以便更好地进行说明。

什么是开关损耗计算？

你(们)好  

对于电感器损耗：  I2DCR 很容易获得直流损耗、而对于交流损耗、一些电感器供应商在其官方网站上提供了计算结果、                  但有些建议不要查看电感器供应商的详细信息。

对于传导损耗：     数据表中显示了高侧 Rdson、低侧 Rdson 和 T 的参数。

您好、Holly、

请考虑开关频率、电流、MOSFET 电阻/电容等工作参数、共享两个内部 MOSFET 的开关损耗计算结果。

请分享 RMS 电流计算器。

 您是指 RDS？ 以下是数据表中的表格。 650kHz 开关频率。 建议您阅读数据表。  

您好、Holly、

是的、此信息可在数据表中找到。

我们需要根据频率和 MOSFET 电容计算开关损耗。 请分享用于计算两个 MOSFET 开关损耗的公式。

我们将此开关损耗与导通损耗相加、并估算 TPS563209的总功率损耗

您好！

您是要使用以下方法吗？

对于 MOSFET 开关损耗，您可以使用函数：0.5*VD*ID*(TSW (on)+TSW (off))*FS

VD 是 MOSFET 关断时的漏源电压、如图所示；ID 是 MOSFET 导通时的漏源电流、如图所示；TSW (开/关)是 MOS 开/关时间

但不建议这样做。 因为不知道 TSW。

您好、Holly、

那么另一个选项是什么？

根据您的第一条评论、

""

开关损耗=裸片损耗-导通损耗。  

导通损耗=(TON*高侧 RDSon * IO+Toff *低侧 RDSon * IO)/T

裸片损耗=总损耗-电感器损耗

""

可以计算电感损耗和导通损耗、但芯片损耗、开关损耗和总损耗是三个未知参数。

我们需要从理论上计算 转换器 IC 的功率损耗。 如果我们实际上有电路板、我们可以提取裸片损耗、但我们需要在   设计和测试之前从理论上计算此损耗。

您好、Kalpesh、  

TI 拥有 Webench 工具、可帮助计算芯片损耗。 使用此工具、您可以计算任何条件下的芯片损耗和效率。  

https://webench.ti.com/power-designer/switching-regulator/create/customize?VinMin=8.5&VinMax=17&O1V=1.05&O1I=3&base_pn=TPS563209&AppType=None&Flavor=None&op_TA=30&origin=pf_panel〈_chosen=en-US&optfactor=3&Topology=Buck&flavor=None&VoltageOption=None

BRS、  

Edwin。