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器件型号：LM7480-Q1 主题中讨论的其他器件：LM25066、 LM74800-Q1
大家好、
我使用数据表来计算 CdVdT。 该值约为145nF。 但客户的工厂只有470nF。 您能告诉我、我们是否有任何为 CdVdT 设置更高电容的潜在风险？
罗伊
大家好、
我使用数据表来计算 CdVdT。 该值约为145nF。 但客户的工厂只有470nF。 您能告诉我、我们是否有任何为 CdVdT 设置更高电容的潜在风险？
罗伊
您好 Praveen、
因此、栅极处的较大电容会导致 SOA 电位过高的问题、这是正确的吗？
您能告诉我如何选择浪涌电流吗？
我在开始时遵循数据表、浪涌电流= 250mA。 计算结果 CdVdt = 145nF。 它可能有点大。 条件如下。
COUT = 660uF
Iout = 7A
罗伊
FET SOA 应力计算
有关 SOA 计算的更详细说明，请参阅第2.3节了解 MOSFET的强大热插拔设计应力限制应用手册。
为了便于您理解、下面是一个分步过程(从应用手册中提取)、
1.计算启动期间 FET 上的功率应力。 请参阅应用手册的‘2.3.3 Checking SOA for Non-Square Power Pulses (检查 SOA 以获得非方波功率脉冲)”部分。
推导 T2。 此处的近似值是 、在 T2持续时间内、FET 在功率损耗= P2 = PMAX 时承受应力。
现在、估算 FET 在 T2持续时间内可以处理的 SOA。 该值将在室温下。 请参阅应用手册的‘2.3.2 Checking SOA for Intermediate time intervals’(检查 SOA 的中间时间间隔)部分。
请记住、下表中的 SOA 值需要在 FET SOA 曲线中的 Vds = VIN (max)时获取。
现在、针对 FET 的最大工作结温/外壳温度、对上述步骤中计算的 SOA 进行降额。 请参阅应用手册的‘2.3.1 MOSFET SOA 曲线和热模型’部分。
该值可视为 temp。 在最大负载条件下的 FET 的输出电压、
4.您可以考虑 FET 具有强大的 SOA IF
SOA (TC)> 1.2 x (P2/VDS)
其中、
SOA (TC)来自步骤3
P2来自步骤1
Vds = VIN (最大值)
系数1.2包含20%的裕度。
您好 Praveen、
感谢您提供信息。 您能帮助检查我的设计流程吗？
公式。
设计流程
IHGATE = 55uA、Cout = 660uF (典型值)、设计 IINRUSH 为2A、我们可以得到 CdVdT = 18.15nF (典型值)
2、使用 IINRUSH = 2A 来获得 dT、并设置 Vin = 12V、dT = 3.96ms。
下面是 MOSFET SOA 图表、我们使用最坏情况。(右侧行) VDS = 60V、当电流为2A 时、MOSFET 可接受 dT>10ms。 4ms 持续时间符合 SOA 规格。
此致、
罗伊
