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[参考译文] LM25145:检查 LM24515设计的风险项目或错误

Guru**** 2535150 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25145, LM5146

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1034373/lm25145-check-the-risk-items-or-errors-for-lm24515-design

器件型号:LM25145
主题中讨论的其他器件: LM5146

您好工程师,

我使用 LM24515设计了两个降压电路,但我不知道设计中存在哪些风险项目和错误,您能帮我检查一下吗?

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    您好、Stanley、

    您可以添加更多陶瓷输入电容器。 此外、将控制器 NC 引脚接地、以获得更好的 GND 覆铜区、从而实现散热。 对于12V 输出、一种选择是通过二极管连接到 VCC、以降低偏置功率耗散。

    请使用 LM25145快速入门计算器检查您的设计、尤其是在补偿值方面。 输入 Cout 的有效电容值(陶瓷电容随电压降额)。

    此致、

    Tim

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    我想知道   通过二极管将输出端连接到 VCC 会产生什么影响、为什么它可以降低 功耗?μ W

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    是的、由于偏置电流来自 VOUT 而不是 VIN、因此它将降低 IC 功率耗散。 但是、请注意、栅极驱动损耗将随着 VCC 电平的增加而增加。 这应通过更快的开关来抵消、从而实现低开关损耗。 在输入电压较高时(高于48V 时--请参阅 LM5146 EVM 示例)、这一优势更为明显。

    此致、

    Tim