[参考译文] TPS563210A：什么是高侧 FET VDS 额定值

user4979989 Allen、

由于 VIN 至 SW 的额定值未单独列出、因此可以安全地假设 irAbsmax 额定值将类似、19V DC 21V、瞬态时间小于10ns。

请记住、绝对最大额定值与 VDS 击穿额定值不同。  Absmax 额定值将始终低于击穿电压、但裕度大小可能因设计和正常处理变化而异。  实际击穿电压 将全部高于19V 额定值、典型击穿电压将高几伏。  

100μA 精确 VDS 击穿的注意事项-保持用于测试击穿的拉电流较小、在测试时建议小于1 μ F、同时尽可能少的外部电容。  VIN 网络连接的其他电路可能在 VIN 缓慢上升至21V 时在一次侧功率 FET 之前发生雪崩、而 FET 在超过其击穿电压后会经历"卡回"。  在对齐期间、MOSFET 的雪崩电压会降低、这会使外部电容放电、而大型外部电容器可能会向 FET 器件提供过多能量、从而对其造成损坏。

在 ESD 事件等快速上升的 VIN (<10ns)期间、初级 MOSFET 或 ESD 保护器件将首先触发、并将 VIN 电压保持在其他较低电流路径的阈值以下、直到 ESD 能量耗散为止、 但是、在缓慢上升的直流阈值测试期间、过程变化会导致首先触发其他路径。

用户4979989 

它们应遵循这两个原则。

如果电压超过19V、则不应超过19V 且持续时间超过10ns、并且永远不应超过21V。