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[参考译文] LM7480-Q1:需要查看 LM7480-Q1的原理图

Guru**** 2378890 points
Other Parts Discussed in Thread: LM7480, LM7480-Q1, LM5060, CSD18535KTT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/977355/lm7480-q1-need-schematic-review-on-lm7480-q1

器件型号:LM7480-Q1
主题中讨论的其他器件:LM7480LM5060CSD18535KTTLM74800-Q1

您好 TI

我将2 个 LM74700和1个 LM7480用于机器人应用。

电源输入是20-30V 电池(在运行期间不会充电)、最大输出为60A。 因此使用了并联 MOSFET。

有一些组件 D13、D20、Q7、P24、C26、 C27、D14、D15、D19用于制动电阻器。 但我不知道它是否起作用。

我认为、当制动和 V_MOTOR > 30V 时、它会触发过压保护、关闭 Q6和 Q13并开启 Q7、以便制动能量可以通过制动电阻器消散。

电路上是否存在任何问题?

Thankse2e.ti.com/.../LM7480_2D00_Q1.pdf

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    您好、会强唐、  

    感谢您与我们联系。 让我看一下原理图、几天内回答您的问题。  

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    您好 Praveen

    感谢您的帮助。

    刚刚 意识到 HGATE 过慢、因此在发生过压后、HGATE 完全导通之前、输出电容器可能会过放电。

    因此、我更改为外部运算放大器。 您能就 LM7480器件提供建议吗?

    谢谢

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    您好、会强唐、  

    请参阅以下有关 LM7480-Q1的评论意见、

    1. 向 每个 MOSFET 的栅极引脚串联添加0欧姆电阻器。 由于每个 MOSFET 的栅极路径中的寄生电感不同、栅极信号上可能会出现振铃。 如果这在您的系统中很重要、您可以将0欧姆更改为更高的值、例如10欧姆、以抑制振荡。  
    2. 在 HGATE 上使用的 dVdt 电容1uF 过高。 您为什么需要如此大的 dVdt 电容器? 如果在启动期间负载较大、这可能会成为一个问题- FET 可能在超出其 SOA 范围的情况下运行、并且 FET 可能会损坏。 我建议您在我们的系统中验证这一点。  

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    你(们)好

    感谢您的评论。

    该电路实际上是 LM5060的升级版。 如果 栅极引脚中没有电阻、则会发生振荡、而在栅极引脚中放置100欧姆电阻时消失。

    我将更改会议时间。 非常感谢! (顺便说一下、在 LM5060中、如果 Vout 大于 Vin、则需要输出电阻、但 LM7480-Q1仍是如此)?

    由于输出电容非常大、因此需要使用大 dVdT 电容。 我在 LM5060中使用了类似的设置

    让我感到困惑的是、与大多数其他 MOSFET 相比、CSD18535KTT MOSFET 具有非常高的 SOA 额定值。 (直流线路中为30V 4A、功率耗散为120W!)

    我不知道情况是否确实如此。 尽管它在 LM5060中运行良好。

    因为您没有提到并联 MOSFET、所以我想连接和额定值是可以的吗?

    谢谢

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    您好、会强唐、

    1.当输出电压大于输入电压时、您能否分享有关 LM5060所需输出电阻的更多详细信息? LM7480-Q1的输出端不需要此类电阻。 LM7480-Q1的输出似乎正在驱动电机负载。

    我看到 TVS 在输出端接地。  建议在 OUT 至 GND 之间使用肖特基二极管、以在关断期间吸收-ve 瞬态。 请参阅数据表中的"11.1瞬态保护"部分。  

    2.系统中的总输出电容是多少?

    3.您可以相信 CSD18535KTT 的 SOA 符合数据表中的规定。  

    4.您可以重新验证根据 数据表中提到的'10.2.4 MOSFET 选择:阻断 MOSFET Q1'和'10.2.5 MOSFET 选择:热插拔 MOSFET Q2'选择的 MOSFET 额定值。  

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    您好 Praveen

    感谢您的回复

    1.您可以参阅 LM5060数据表 P.25中的8.2.1.2.9大负载电容和 P.28中的带有电阻器的8.2.3.2.1反极性保护。 我的系统使用 LM7480-Q1来驱动2个电机和一些其他负载。

    www.ti.com/.../lm5060.pdf

    总 输出电容为50mF。

    谢谢

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    您好、会强唐、

    感谢您分享信息。

    让我在内部进行检查、并在几天内返回给您、了解 LM7480-Q1的大输出电容是否存在任何挑战。

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    您好、会强唐、

    您知道、具有巨大的输出电容器(50mF)和1uF dVdT 电容器将使 FET 长时间保持在饱和区域。 在该区域中、FET 会因其功率损耗而承受应力。  最好在启动期间避免任何负载电流、以减轻 FET 上的应力。 确保所选的 FET 具有良好的 SOA 裕度、以承受启动期间的应力。

    此外、我们建议您使用基于 PNP 的栅极放电电路(如下所示)、而不是通过 HGATE 与 GND 之间的简单 RC。 这将减少控制器上的应力、同时吸收1uF dVdT 电容器的电荷。

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    Praveen

    感谢您的电路设计!

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    更新了

    当负载电流小于1A 时、DGATE 保持开启和关闭状态、原因是什么?

    谢谢

    绿色表示 DGATE

    黄色表示当前

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    您好、会强唐、

    看起来您使用的是 LM74800-Q1、它具有线性栅极调节方案。 该方案可调节 FET 的栅极电压、从而保持 FET 两端的正向电压 V (AC_REG)。 也就是说、如果负载电流增加-栅极电压增加以减少 FET 的 Rdson、类似地、如果负载电流减小栅极电压、也会降低栅极电压以增加 Rdson 并将 FET 上的电压保持在~10.5mV。 此控制技术可确保零反向电流(从 OUT 到 IN)。 因此、当路径中有0A 电流时、栅极被完全拉低。 您应该看到栅极电压随着负载电流的增加而逐渐上升。

    您可以参阅 理想二极管基础 知识应用手册的"6.1线性稳压控制与磁滞开/关控制"部分、以了解有关线性栅极控制的更多信息。