主题中讨论的其他器件: LM74500-Q1
您好!
我在 高达45V 和70A 的应用中、在反向电池保护/理想二极管应用(快照见下方/随附)中使用 LM74801QDRRRQ1。 注意 R117默认不填充。 在此电压下、组件引线/终端之间的 IPC-2221B 间隙要求为15.75mil (外部导体之间为23.62mil)。 在进入布局之后、我遇到了该原理图的一些问题:
- LM7480-Q1的数据表显示、如果未使用 VSNS 和 SW、请将其短接并连接到 VS。由于未使用次级 HGATE、OV 引脚连接到 GND。 这会在 SW 和 OV 之间放置45V、且远小于15.75mil。 是否可以更改这些 VSNS、SW 和 OV 连接中的任何一个以在45V 信号之间保持15.75mil 的间隙? 同样、如果安装了 R117、则 OV 会过于靠近 EN/UVLO 连接。
- 数据表中的图9-2应用显示引脚9接地。 这放置在 VS 引脚10上45V 连接的旁边。 类似的问题:OUT 引脚9的连接方式是否不同?
上述应用的备选问题可能是:如果 VSNS 或 SW 接地、会发生什么情况? 如果 OV 连接到 VS、会发生什么情况? 如果 OUT 连接到 VS、会发生什么情况?



