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[参考译文] BQ28Z610-R1:高侧 N MOSFET 处于欠压状态

Guru**** 2581985 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ28Z610-R1, BQ28Z610

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/974654/bq28z610-r1-high-side-n-mosfet-state-in-under-voltage

器件型号:BQ28Z610-R1
主题中讨论的其他器件: BQ28Z610

您好!

当电池电压低于2.2V 时、"HigSide N-CH FET 驱动器"如何工作? 在这种情况下、BQ28Z610-R1是否可以停止充电?

此致、
Kazuto

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    您好、Kazuto、

    我不确定我是否理解您的问题、但我会说 bq28z610会根据电池的安全条件控制自己的 FET 状态。 IC 本身具有内部电荷泵、用于偏置要启用的 FET。

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    尊敬的 Jessica:

    记录良好。 bq28z610是否可以禁止零电压充电?

    此致、
    Kazuto

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    您好、Kazuto、

    我们将对此进行研究、我将在得到答案后再向您回复。

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    尊敬的 Jessica:

    这进展如何? 客户正在等待应答。

    感谢您处理此问题。

    此致、
    Kazuto

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    您好、Kazuto、

    可以通过将 ZVCHG 退出阈值设置为零来禁止零电压充电。 这意味着电池读数永远不会足够低、从而触发零伏充电使能标志。 但是、客户需要小心、因为这不会改变 FET 行为、这可能导致未知行为和潜在错误。

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    尊敬的 Jessica:

    感谢您分享该设置。 您会在下面确认我的理解吗?

    >客户需要小心,因为这不会改变 FET 的行为,从而导致未知行为和潜在错误。

    默认情况下、ZVCHG 退出阈值为2200mV。 如果它低于建议的 VCC 电压(2.2V)、则 MOSFET 上的未知行为预计是因为 BQ28Z610-R1的功率不足、这是正确的吗?

    此致、
    Kazuto

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    您好、Kazuto、

    这不是监测计的预期操作、因此他们需要验证设计。

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    您好 Jessica、我建议客户验证设计。 感谢您的支持!