[参考译文] BQ28Z610-R1：CAN#39；t 写入数据闪存。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/980744/bq28z610-r1-can-t-write-data-flash-memory

尊敬的先生：

我们尝试写入数据闪存存储器。 但它无法按以下代码编写。

我们可以读取数据闪存。

是否可以检查代码或其他问题？

e2e.ti.com/.../bq28z610_5F00_fg.c

静态 int fG_mac_write_block (struct bq_fG_chip *bq、u16 cmd、u8 *数据、u8 len)

｛

          内转台；

          U8 cksum；

          U8 t_buf[40]；

          int i；

          如果(len > 32)

                     返回-1；

          t_buf[0]=(u8)(cmd >> 8)；

          t_buf[1]=(u8) cmd；

          对于(i = 0；i < len；i++)

                     t_buf[i+2]=数据[i]；

          cksum =校验和(data、len + 2)；

          /*write command/addr、data*/

          RET = FG_WRITE_BLOCK (bq、bq->regs[BQ_FG_REG_ALT_MAC]、t_Buf、len + 2)；

          如果(RET < 0)

                     回程；

          t_buf[0]= cksum；

          t_buf[1]= len + 4；/*buf length、cmd、CRC 和 len 字节本身*/

          /*写入校验和和长度*/

          RET = FG_WRITE_BLOCK (bq、bq->regs[BQ_FG_REG_MAC_CHKSUM]、t_Buf、2)；

          回程；

｝