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[参考译文] BQ24192I:IC 升温

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25892, BQ24192, BQ25731
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/975479/bq24192i-ic-heating-up

器件型号:BQ24192I
主题中讨论的其他器件:BQ25892BQ24192BQ25731

伙计们、

当使用 BQ24192L 以15V 的输入电压和0.75A 的输入电流(大约为12W 的功率)为我们的电池充电时、我们测量的是

IC 表面温度为80摄氏度、芯片所在 PCB 底部温度约为70摄氏度。  

这似乎非常高、我想与您一起检查:

1.这是正常的吗?

2.在 PCB 散热之外、我们还可以做些什么来散热?

请注意、我们希望尽快为大型(50Ah)电池充电、因此我们希望利用 IC 的电流  

我要从我们的 PCB 编辑文件中附上一份粘贴、以便您快速查看 IC 的布局。

谢谢、

NIR

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    NIR、

    IC 功率耗散与效率有关。
    IC 温度在很大程度上取决于 PCB 布局。 正常的4层 PCB 可能具有~35Deg/W 热阻。 4层以下的电路板会更糟糕。
    将 IC 封装背面的外露电源焊盘焊接到 PCB 接地端至关重要。 请确保 IC 正下方有足够的散热过孔(9个过孔)、连接到其他层的接地层。 请检查外露焊盘是否正确焊接。 请参阅12布局和图52。 有关详细信息、请参阅 d/s 上的布局示例图

    谢谢、

    宁。

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    您好、Ning、

    谢谢你。  假设我们遵循了所有这些建议、我想问 IC 的正常工作温度是否为80摄氏度?

    NIR。

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    NIR、

    请根据测量的效率估算 IC 功率耗散(PIC)。 假设热阻为35Deg/W、则 Tj=Ta + 35 x PIC。 计算 结果应能让您大致了解。

    谢谢、

    宁。

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    您好、Ning、

    由于我们的充电电流处于此 IC 功能的高端、您能否从您的线路中推荐另一个具有与此类似属性但可以轻松承受更高(两倍?)的充电 IC 充电电流、那么不会像这个那样升温?

    谢谢、

    NIR。

     

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    NIR、

    请试用 BQ25892。

    谢谢、

    宁。

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    您好、Ning、

    谢谢、但就充电电流(5A/4.5A)而言、BQ25892非常接近 BQ24192。 我在寻找

    能够以4A 或5A 为电池充电且不会像 BQ24192那样过热的器件。

    NIR。

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    NIR、

    BQ25892内部 MOSFET 的 Rdson 值 小于 BQ24192的 Rdson 值。 因此、BQ25892的效率 得到了提高。 请随意评估 BQ25892并与 BQ24192进行比较。

    谢谢、

    宁。

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    谢谢你宁。 我已经研究了这两个器件的 D/S、并找到了以下内容:

    在 BQ25892上、BATFET 的典型 Ron 从12m Ω 降低到11m Ω。

    BQ25892将 LSFET 的典型 Ron 从32m Ω 降低到16m Ω。

    据我了解、BATFET 是在充电时承载负载的电阻器、如果这种情况比您所提到的1m Ω 电阻器的改进情况更正确、

    如果我错了、请纠正我的问题。

    NIR。

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    此外 、BQ25731呢?

    NIR

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    在 Tiger 中购物以支持 BQ25731问题。 谢谢!

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    NIR、

    BQ25731 是一种不同类型的充电器。 如有 BQ25731 问题、请提交新的 e2e 查询。 该线程被视为已解析和已关闭。

    谢谢、

    宁。