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[参考译文] UCC21750：OUTH 中的随机毛刺脉冲、用于开关 SiC MOSFET

admin
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Other Parts Discussed in Thread: UCC21750

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/975188/ucc21750-random-glitch-in-outh-which-switch-the-sic-mosfet

器件型号：UCC21750

您好！

我目前正在使用 UCC21750驱动 SiC 模块的250kW SiC 逆变器中工作。 在某些情况下(缓慢地)、我们看到 OUTH 和 OUTL 的输出中存在一个沟道、该沟道会打开和关闭 MOSFET。 一开始、我们发现它是由由于 dVdt 而流经 CGD 的寄生电流引起的、 但现在我们改变了主意、我们认为它是由驱动器引起的、因为是 OUTH 和 OUTL、它们以高频率振荡下拉或上拉栅极信号。

我们还在以下仿真中看到相同的效果。  为了避免这种高频率振荡、我们可以使用外部电容器(330nF)增加 CGS、但这会增加驱动器所需的功率、我们不允许这样做。

有什么想法会产生这种影响？

提前感谢

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    TI__Guru**** 2769895 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    e2e.ti.com/.../UCC21750_5F00_problem.docx

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    TI__Guru**** 2769895 points
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    您好、Joan、 您是否已经构建了一个原型并对其进行了测试？ 如果是、您是否有任何来自电路板的示波器截图？
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    您好 Don、

    事实上，我们有一个原型，我们在现实生活中也有同样的效果。 所附的图在通道2中显示了在 SiC 模块的栅极、模块的通道4 VDS 和 UCC21750的通道4中测量的信号。  实际上、我们在现实生活中首先看到了这种效应、并尝试找出原因、我们进行了仿真、并意识到在仿真中可以看到同样的效果。

    此图显示了逆变器三相导通的低侧 MOSFET 的信号。 Ron 和 ROFF 为2.2欧姆

    原理图如下

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    TI__Guru**** 2769895 points
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    您好 Joan、

    感谢您提供详细信息。 从波形中可以看出、栅极驱动器似乎已正确导通、但在打开 SiC FET 的栅极时电源会崩溃。 栅极振荡可能是由于 VDD 电源在导通瞬态和/或期间崩溃以及大栅极环路电感造成的。 这将解释为什么引脚上的更大电容有助于振荡、因为它会减慢导通瞬态。 您是否能够确认和/或共享以下内容的详细信息：

    电容器 C25、C26、C32和 C33与栅极驱动器的 VDD 引脚的距离有多近？ (布局的屏幕截图或电路板的图片会有所帮助。 请告诉我这些是否与栅极驱动器位于电路板的另一侧)

    2.栅极驱动器 OUTH 和 SiC FET 栅极之间以及 SiC FET 源极和栅极驱动器 COM 引脚之间的连接有多长时间？ (显示迹线的电路板布局图的屏幕截图会有所帮助)

    至于仿真、您使用的是什么仿真软件？

    您能否尝试在仿真中从 VDD 到 COM 添加一些电容、看看这是否会改变栅极驱动器的行为？

    如果有任何问题、请告诉我！

    此致、

    Andy Robles

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    尊敬的 Andy：

    我们最终找到了问题所在的位置。 我从另一个 PCB 通过 LVDS 感应控制信号、 在某些情况 下、噪声进入系统。 我将 LVDS 更改为485、问题得到了解决。

    非常感谢。