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[参考译文] LM5122：FET 选择

admin
Guru**** 2539500 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5122

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/979255/lm5122-fet-selection

器件型号：LM5122

大家好、

我的客户正在使用 WEBENCH 进行 LM5122仿真。 WEBENCH 链接如下：
webench.ti.com/.../187

在原理图中，有两个关于 FET 的问题，我想请您帮助。

  1. M1和 M2的数量为2。 我假设这意味着并联 MOSFET (而不是达林顿)、因为 Altium 文件的原理图显示了并联连接。 正确吗？
  2. WEBENCH 选择 NTMFS5C673NLT1G 作为 M1和 M2、但客户正在考虑使用另一个 FET。 选择 FET 的关键参数是什么？ 它是 VdsMax 还是 IdsMax？ 假设两个 FET (M1)是并联的、使用两个 IdsMax/60V VdsMax 以上的 FET 是否正常？ 如果有任何其他推荐的 FET、我们将不胜感激。

此致、
Kurumi Hasegawa

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    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kurumi、

    能否重新生成链接？ 我无法再访问它。 对于第二个问题、VDS 是第一个要考虑的问题。 我们通常使其成为过冲的最大开关电压的1.2至1.5倍。 是的、电流需要小于 Idsmax。 除此之外、Rdson、Qg、Qs 和 Coss 将影响损耗和功率/热耗散。  

    谢谢、

    银城

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    您好、 心城、

    感谢你的答复。 我了解用于选择 FET 的参数。

    请使用以下链接。 此外、我附加了原理图的屏幕截图、以防万一。

     https://webench.ti.com/appinfo/webench/scripts/SDP.cgi?ID=24FF1EE769BA6BB9 

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    您好 Kurumi、

    感谢您的观看。 没错。 它使用两个并联的 FET。

    谢谢、

    银城

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    您好、 心城、

    非常感谢您的确认！

    此致、

    Kurumi Hasegawa