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[参考译文] CSD17318Q2:CSD17318Q2

Guru**** 2382340 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ77915, CSD17318Q2, CSD17381F4, CSD15380F3
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/978502/csd17318q2-csd17318q2

器件型号:CSD17318Q2
主题中讨论的其他器件:BQ77915CSD17381F4CSD15380F3

尊敬的先生:

我将 CSD17318Q2用于 BQ77915。

我正在测量 CSD17318Q2的源极端子和漏极端子之间的电阻、其显示为30K

您能建议比这更好的 MOSFET 吗?

此致

Murthy

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    您好 Murthy、

    感谢您关注 TI FET。 数据表中指定的漏源泄漏电流在 Vds = 24V、Vgs = 0V 且 Ta = 25C 时最大为1uA。 您测量的30k 欧姆电阻相当于高得多的泄漏电流。 在进行电阻测量时、请确保栅极不浮动。 务必在漏极连接到正极引线、源极连接到负极引线的情况下进行测量。 极性相反的测量电阻可能会正向偏置 FET 的体二极管、从而导致电阻测量值降低。 此外、如果您在电路中进行测量、可能存在 MOSFET 以外的泄漏路径、这会影响结果。

    我需要详细了解您的应用、以确定 CSD17318Q2是否是最适合您工作的 FET。 通常、功率 MOSFET 在处于关断状态时具有极低的漏源泄漏电流。 TI 的 FET 具有较低的额定泄漏电流、但它们可能不符合您的应用要求。

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    您好 Murthy、

    再次感谢您关注 TI FET。 我将检查您的问题是否已解决。 如果我在24小时内没有收到您的回复、我将假定您的问题已得到解决、并关闭此主题。

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    尊敬的先生:

    CSD17318Q2、我将其用于电池平衡。

    此致
    Murthy

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    您好 Murthy、

    感谢您的更新。 您可以与我分享您的原理图吗? 如果您不想在此公共论坛上共享、请向我发送一份朋友请求、一旦我接受、您就可以在私人消息中共享原理图。

    您能告诉我 FET 的电流和电压要求以及栅极驱动电压吗? TI 确实有一些非常小的 FET、例如 CSD15380F3和 CSD17381F4、它们的泄漏规格较低、可能适合您的应用。

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    请接受我的朋友的请求。

    此致

    Murthy

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    您好 Murthy、

    我已接受您的朋友请求。 我将关闭此主题、我们可以在该论坛上离线继续讨论。