主题中讨论的其他器件:BQ77915、 CSD17381F4、 CSD15380F3
尊敬的先生:
我将 CSD17318Q2用于 BQ77915。
我正在测量 CSD17318Q2的源极端子和漏极端子之间的电阻、其显示为30K
您能建议比这更好的 MOSFET 吗?
此致
Murthy
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尊敬的先生:
我将 CSD17318Q2用于 BQ77915。
我正在测量 CSD17318Q2的源极端子和漏极端子之间的电阻、其显示为30K
您能建议比这更好的 MOSFET 吗?
此致
Murthy
您好 Murthy、
感谢您关注 TI FET。 数据表中指定的漏源泄漏电流在 Vds = 24V、Vgs = 0V 且 Ta = 25C 时最大为1uA。 您测量的30k 欧姆电阻相当于高得多的泄漏电流。 在进行电阻测量时、请确保栅极不浮动。 务必在漏极连接到正极引线、源极连接到负极引线的情况下进行测量。 极性相反的测量电阻可能会正向偏置 FET 的体二极管、从而导致电阻测量值降低。 此外、如果您在电路中进行测量、可能存在 MOSFET 以外的泄漏路径、这会影响结果。
我需要详细了解您的应用、以确定 CSD17318Q2是否是最适合您工作的 FET。 通常、功率 MOSFET 在处于关断状态时具有极低的漏源泄漏电流。 TI 的 FET 具有较低的额定泄漏电流、但它们可能不符合您的应用要求。