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[参考译文] LMG5200：AEC-Q 后续产品、Rds-on 更低、理想二极管模式？

admin
Guru**** 1125680 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG5200, LMG3425R030
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/979843/lmg5200-successor-with-aec-q-lower-rds-on-ideal-diode-mode

器件型号：LMG5200
主题中讨论的其他器件： LMG3425R030

尊敬的 TI：

LMG5200是否有即将推出的100V 集成驱动器 GaNFET 替代产品、具有 AEC-Q、更低 Rds-on 和理想二极管模式、可作为紧凑型高效48VDC 应用的半桥驱动器+FET IC 或单个驱动器+FET IC (类似于 LMG3425R030)？

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    TI__Guru**** 1125680 points
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    示例 mΩ 其他供应商的100V GaNFET 在100V 60A 应用中的额定电流低至3.2 μ A。

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    TI__Guru**** 1125680 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，Yoonseo，

    感谢您联系我们。 目前、LMG5200是我们拥有的唯一低电压(<100V)器件。 如果在低电压区域发布了新器件、我们将在 ti.com/gan 上发布公告。

    很抱歉给您带来不便、请继续在我们的网站上查看最新信息！

    此致、