[参考译文] LM3478：请查看原理图(二极管和 FET 上的热量过多)

你好 Chase、

感谢您使用 LM3478。 在我们进入详细信息之前、您能告诉我它们在输入电压下有过热问题吗？

谢谢、

银城

您好、心城、

我问客户、当出现过热问题时、他们使用10V 电源进行了测试。

它们通常使用电源之一、电池(9.6V~12.6V)或 SMPS 适配器(15V)

此致、

Chase

你好 Chase、

谢谢你。 我检查了 Q4的 Rdson 非常小。 他们是否具有 SW 波形、以便我可以进一步调查此问题？ 此外、请检查它们是否具有电感器电流波形。 由于 LM3478是一个控制器、所以没有理论上的固定负载限制。 但首先、我们需要确保控制器正常工作。 对于布局、关键是最大限度地减小交流环路。 但同样、这不会对温度产生太大的影响、因为它正在工作。 话虽如此、有一些技术可帮助在布局上实现 MOSFET 热耗散、但我们先检查它们的波形。

谢谢、

银城

您好、心城、

因为我的客户没有电流测量设备、所以我只能提供电压波形。

1.开关频率：9.4us

2.当 Q4栅极导通时，77.5ns 后会出现电压火花。

请查看这2个波形。

我有更多问题

Q4的 Rdson 是指 FET 的封装？ 是否应该为 Q4使用更大的封装？

2、您说负载没有理论上的固定限制。 那么、数据表4页上的"峰值驱动器输出电流= 1A"是什么意思？

3.请参阅以下 URL；

https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/954381?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=lm3478

该专家说、大电流可能会导致整流器二极管中出现过热问题、他推荐使用 LM5122。 你怎么看？

我的客户将使用 LM3478 EVM 进行测试。 我将在测试完成后分享结果。

请检查这些问题。 谢谢。

此致、

Chase

你好 Chase、

如果它们无法提供电流波形、则没关系、请检查它们是否可以提供输入电流值。 这将帮助我估算 MOSFET 的损耗。 此外、我想确保您在捕获时显示的 SW 波形是否稳定？ 这意味着它始终如一、并且没有跳跃、占空比损耗等 相关问题。

1、FET 的导通电阻在数据表中声称为1m Ω、这很好。 如数据表中所示、高温下的关系也是可以的。

2.1A 是可以流经栅极以驱动 FET 的峰值电流。 它与 FET 的开关速度有关、但与负载电流无关。

3.对于10A 负载、我还建议使用同步整流器、但对于5A 负载、可能仍然可以使用肖特基二极管。 这一切都与热性能有关、这正是我们在这里尝试解决的问题。 它们在二极管上看到什么温度？ 如果二极管过热、也可能会使 FET 升温。

谢谢、

银城

您好、心城、

今天、我可以更新有关此问题的一些状态。

关于输入电流值、请参阅下表。 它们测试了每个电流阶跃以计算效率。

2.是的、SW 波形与捕获的波形完全相同。 即使上升沿的尖峰非常小、但我认为这没有问题。

并且不存在跳转和占空比损耗。

我的客户说 SW (FET 的漏极)波形总是相似的、但 FET 的栅极波形是相当不同的。

输出电流越大、红色圆圈值就越高。 (请参阅下面的捕获图像、这可能很明显。)

关于二极管、我们可以看到它上的温度类似。 与 FET℃、二极管的温度比 FET 高10~20 μ V。 输出电流越大、二极管的温度越高。 (当然。)

请检查此问题、如果您有任何建议、请告诉我。

此致、

Chase

你好 Chase、

我在这里注意到有两件事值得进一步调查。

1.由于他们在这里捕获的米勒平坦区、开关时间看起来很长。 这可能是热量的一个原因--开关损耗。 但考虑到频率仅为100kHz、这不太可能。 我将查看 MOSFET 的数据表并进行计算。

2、二极管也可以加热 FET 和电路板。 我还将详细了解二极管数据表。

谢谢、

银城

您好、心城、

感谢你的答复。

如果有任何我测试的内容可供您分析、请告诉我。

此致、

Chase

你好 Chase、

感谢您的耐心等待。

我已经检查了上面提到的两件事。 我发现的主要问题是二极管。 它的正向电压过高、大约为1V。 请尝试查找电压约为0.5V 的肖特基二极管。 由于开关时间非常长(即使频率较低)、FET 也可能自身发热。 选择 FET 始终是一种折衷方案、但在这种情况下、由于开关损耗可能占主导地位、因此 Qg 较小且 Rdson 较高的 FET 可能是更好的选择。 我将首先从二极管开始、因为它具有更高的温度。

谢谢、

银城