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[参考译文] CSD16408Q5:使用栅极驱动器将 MOSFET 作为开关

Guru**** 2380120 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD16408Q5
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/979347/csd16408q5-mosfet-as-switch-using-gate-driver

器件型号:CSD16408Q5

您好!

我使用栅极驱动 器 UCC27531DBV 来驱动 MOSFET CSD16408Q5。仿真结果如下所示、栅极驱动器的输入电压为3.3V 和0V。

Vgs = 1.4V 至2.1V 的 MOSFET。

为了使 MOSFET 导通、提供了大于1.4V 的 Vgs。 因此、负载输出(1 Ω)~ 5V。

为使 MOSFET 关断提供的 Vgs < 0V、但 MOSFET 仍处于导通状态、 负载时输出(1 Ω)为4.235V。

查询:

1.如何在上面的电路中关闭栅极驱动器的 MOSFET?

注意:我已从 TI 官方网站下载 PSpice 模型。

谢谢、此致、

Pedaiah G.

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    Pedaiah G.、您好

    感谢您关注 TI FET。 TI 规范 ID = 250uA 时的阈值电压、其中 FET 刚刚开始导通。 对于该器件、在最小 VGS = 4.5V 的条件下指定了导通电阻。 我们不对 VGS < 4.5V 时的导通电阻进行规格或保证。 当 VGS < 0V 时、MOSFET 处于截止状态、并且应该只有一个很小的泄漏电流 IDSS、在 VGS = 0V 且 VDS = 20V 时、该电流被指定为<= 1uA。 您将获得比1uA 大得多的电流。 您能不能与我分享您的仿真原理图。

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    您好、John、

    感谢您的回复。

    请查找具有栅极驱动器的 MOSFET 的仿真原理图。 希望我使用了合适的 PSpice Model.e2e.ti.com/.../MOSFET-SIMULATION.zip

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    Pedaiah G.、您好

    感谢您分享您的仿真。 MOSFET 的漏极和源极端子反向、体二极管在关断时导通。 您在负载上看到的电压为5V - VSD (体二极管正向电压)。 随附的 zip 文件是正确的配置。 我相信随附的 zip 文件将为您提供所需的结果。

    e2e.ti.com/.../MOSFET-SIMULATION1.zip