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[参考译文] BQ77915：悬空 PRES 引脚出现问题-休眠模式

admin
Guru**** 2546020 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/971281/bq77915-issue-with-floating-pres-pin---hibernate-mode

器件型号：BQ77915

大家好、

我已经按照模板 SLUA906A 中的规定设计了一个具有堆叠式 bq77915的9S 电池组。 上部器件具有5节电池、下部器件具有4节电池。

我的问题是：

如数据表所述、如果 PRES 引脚悬空、CHG 和 DSG FET 不需要禁用。

MOSFET 会定期输出低电平、一次窥视、125ms 后恢复到高电平状态。 但在休眠模式下、它应该为低电平。

近况如何？

(PIC.1显示了 DSG MOSFET 上的栅极电压)

(图2显示了在 PACK+和 PACK-之间测得的输出电压)

2.如果在取消充电或充电以进入休眠模式时移除上拉电阻器、FET 不希望在4、5秒抗尖峰脉冲时间(数据表：tPRES_DEG_ENT)后关闭、而只希望在30秒时关闭。 这是怎么可能的？

提前感谢。

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    TI__Guru**** 2546020 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Martin：

    您可以共享原理图吗？ 我假设顶部器件的 PRES 引脚悬空、底部器件的 PRES 引脚通过10k 电阻连接到顶部器件的 LPWR 引脚？ 必须不存在故障条件、并且器件不应发生充电或放电、才能进入休眠模式。

    此致、

    Matt

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    TI__Guru**** 2546020 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    不允许我拆分整个原理图。 我只能显示一个片段。

    (PIC.片段装载检测和休眠模式)

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    TI__Guru**** 2546020 points
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    您好、Matt、

    如果您愿意、我可以通过私人联系方式共享整个原理图。

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    TI__Guru**** 2546020 points
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    尊敬的 Martin：

    原理图看起来正确。 PRES 引脚的下拉电流仅为几 uA、因此您可能需要检查电路板上是否有泄漏、或者尝试更换堆叠中的顶部器件以查看器件是否有缺陷。

    此致、

    Matt

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    TI__Guru**** 2546020 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的回答。 在空闲模式下、在连接任何负载的情况下、CHG 和 DSG 会下拉、因此我猜休眠模式会发挥作用、但如果有任何器件(例如1 MOhm 尾数)连接到输出端、CHG 和 DSG 不会保持低电平、并且会像上图所示那样切换。

    它是否可以与负载检测相关？ 是否有任何中断休眠模式的条件或路径？ 我错过了底部器件 LD 引脚的保护二极管(TRM 图10-7)。 据我所知、如果没有反极性、这不应该是问题。 如果不正确、请回答我的问题。

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    TI__Guru**** 2546020 points
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    尊敬的 Martin：

    我认为负载检测不会导致这种情况。 除非电池电压极高放电、导致 LD 引脚上施加的电压超过-30V (绝对最大值)、否则缺失的二极管不应成为问题。 在休眠模式下、您可以通过测量两个器件的 AVDD 引脚电压来确定堆栈中的哪个器件不处于休眠模式。  

    此致、

    Matt

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    TI__Guru**** 2546020 points
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    您好、Matt、

    我发现了我这边的问题。 我在 PRES 引脚上使用了两个100nF 的串行至 PACK-来尝试 ESD 保护 (未在原理图中显示)。 这也将解释我的2。 有关~30sek 时间进入休眠模式的问题。 我想 PRES 引脚上的缓慢下降电压会引起内部关断机制执行错误。

    因此移除了电容器。 对于这个裸引脚上的 ESD 保护、建议使用什么互连？

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    TI__Guru**** 2546020 points
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    尊敬的 Martin：

    我不确定这里的最佳选择是什么-如果齐纳二极管具有足够小的电容、则顶部器件的串联电阻器和齐纳二极管可能会起作用。

    此致、

    Matt

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    TI__Guru**** 2546020 points
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    我将在下一次重新设计时进行检查。 一般而言、我想这个问题会得到解决。

    Matt、感谢您抽出宝贵的时间为您提供建议。 保持健康、 度过美好的一天。

    此致、

    Martin