[参考译文] LMR36520：用于降低 EMI 的 LMR36520ADDAR 布局

Bob、

图像未正确附加。 请附加图片、我将进行查看。

Sam

Bob、

我之前应该问过这个问题、但是您看到的是哪个频段？ 您可以附加 EMI 图吗？

如果问题是较高频率>30MHz：

输入电容器应直接连接到 GND 平面、并直接连接到 PGND 引脚。 C6通过过孔连接到 GND、这会增加大量电感。 尝试将一根导线从 C6的 GND 焊盘飞至器件的 PGND 引脚。 C100也是如此。

SW 节点铜看起来比必要的大。 较大的表面积意味着更高的高频(>30MHz) EMI。 将电感器移近并减小 SW 节点的表面、以改善 EMI。

此外、最好移除具有高电流和快速变化电流(如 VIN、GND 和到 CIN/COUT 的焊盘)的引脚上的散热焊盘。

另一个想法是旋转电感器。 根据电感器的结构、电感器的发射方式会有所不同、具体取决于 SW 是否连接到绕组的开头与末尾。

对于低频 EMI (<30MHz)、您需要研究更多的输入电容或 EMI 滤波器(我在原理图上看不到)。

Sam

尊敬的 Sam：

感谢您向我们提供反馈。

所附为 EMI 图：一个来自 U9顶部、另一个来自 L1顶部。

从 U9顶部测量时、我看到的大多数问题的频率高于30Mhz。 但从 L1顶部测量时、也存在较低的频率。

我将根据您的建议进行适当的更改、并将为您提供新的布局供您查看。

此致、
Bob   

Bob、

是255MHz 噪声对于开关节点振铃来说几乎是正确的。 输入电容器输入环路电感(物理环路面积/长度/厚度...) 决定该频带中的能量量。 从 CIN 到 VIN 引脚的更好连接应该有助于实现这一点。

更新图表后、请告诉我。

Sam

尊敬的 Sam：

随附更新了布局以供您查看。

谢谢、

Bob

尊敬的 Sam：

请参阅以下我的回答：

• Sam =>我建议在 C6和 C32之间的岛/半岛上放置一个 GND 过孔。
• Bob =>我看不到 C32电容器。 您是指 R32吗？
• Sam =>如果 L1可以更靠近 IC、从而进一步减小 SW 表面积、这也会有所帮助
• Bob =>目前它的位置相当靠近(在50密耳以内)、但如果它不会导致任何汇编问题、我会使它更加靠近。
• Sam =>还考虑在 PGND 引脚正上方放置一个从 VOUT 到 PGND 的0603电容器、以帮助解决 VOUT 噪声问题
• Bob =>您是指使用0.1uF 电容器来实现高频噪声吗？
• sam =>如果辐射仍然过高、您还可以在 SW 和 GND 之间添加缓冲器占位符。
• Bob =>您建议 RC 缓冲器电路使用什么值？ 是否可以将缓冲器电路放置在 C7旁边？

此外、您是否建议消除 L1下方的 GND 覆铜、以防止开关噪声穿透 GND？

谢谢、

Bob

感谢 Sam 的澄清。 随附最新的布局、包括缓冲电路(R165和 C158)和 VOUT 旁路(C156)。

谢谢 Sam。 我将继续更改 C156位置。  

我的最后一个问题是、使用外形更小的电感器来减小 SW 环路面积是否有帮助？

此致、

Bob

尊敬的 Sam：

很抱歉、我忘记了包含缓冲电路原理图供您查看。

请确认缓冲电路连接正确。

谢谢、

Bob

谢谢 Sam！ 在我们进行新布局后、我将随时向您通报 EMI 改进情况。

Bob