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器件型号：BQ24780S 你(们)好
在这里、客户正在评估医疗电源充电基础中的 BQ2478080、现在调试遇到了一些问题、需要咨询：
芯片输入电压为19V、输出电压为14.5V、最大电流为6A。
问题：上 MOSFET 很容易分解、并且 DS 之间存在短路。
分析：由于 MOS 温度很高、在两三分钟内就可以达到110度以上、这是 MOS 击穿过热造成的。
黄色：MOS GS 波形上部、蓝色：MOS GS 波形下部、绿色：MOS 电流
从波形可以看出、上 MOS 开路和下 MOS 开路直通、上 MOS 和下 MOS 导通、导致直接短路、MOS 发热和击穿。
问题：
对于这个芯片、帮助建议使用 MOS 选择？
从图中可以看出、不管 MOS 关断速度有多快、仍然会有交叉。 该芯片是否可以增加死区时间以避免击穿？
3.是否有更好的解决办法？
此致
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