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[参考译文] BQ78350-R1：bqStudio 1.3.86中的高级充电算法

admin
Guru**** 2589265 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ78350-R1, BQSTUDIO

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/977694/bq78350-r1-advance-charge-algorithm-in-bqstudio-1-3-86

器件型号：BQ78350-R1
主题中讨论的其他器件： BQSTUDIO

您好！

我们根据参考 TI 设计 TIDA-00792设计了电池组+ BMS 、但根据我们的应用进行了修改并确定了尺寸。

我正在尝试通过 bqStudio 为 BQ78350-R1配置"高级充电算法"数据存储器。

我已经阅读了 TR BQ78350-R1的第5章、这些参数看起来与 bqStudio 1.3.86中提供的参数不同。 例如、在 bqStudio 中、可用的温度范围为：T1、T2、T3、T4、T5和 T6 Temp (地址0x45ED 至0x45F3)、但 在 TR BQ78350-R1中、这些参数对应。

但是、在 TR BQ78350-R1中、电荷算法显示了0x45DF 至0x45EC 的存储器映射寻址、其中对它们在第5章中的工作方式进行了详细说明、但无法通过 bqStudio 进行配置、因为它们在该章中不可用。  

您能否向我解释一下如何通过 BQ78350-R1的 bqStudio 正确设置"高级充电算法" ？

提前感谢、

Marco。

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    TI__Guru**** 2589265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    为了更好地理解、我重新编写了此部分：

    *例如 ，在 bqStudio 中，可用的温度范围为：T1、T2、T3、T4、T5和 T6 Temp (地址0x45ED 至0x45F3)，但 在 TR BQ78350-R1中 ，没有提到 这些参数。

    谢谢、

    Marco。

  • 0
    TI__Guru**** 2589265 points
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    尊敬的 Marco：

    我看到问题了。 在 BQStudio 屏幕中、显示您使用的是版本2.02的固件。 这是 BQ78350-R2、它是与 BQ78350-R1不同的器件固件。 BQ78350-R2目前没有单独的 TRM、但有一个文档介绍了这些更改： https://www.ti.com/lit/pdf/sluubm6 

    R2版本的许多数据闪存地址已更改、因为添加了新参数、因此使用 BQStudio 获取更新的数据闪存地址非常重要。 这些地址在 BQStudio 中都是正确的。  

    我希望这对我们有所帮助、并且不会让我们感到困惑。

    此致、

    Matt

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    TI__Guru**** 2589265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Matt、

    感谢您的解释。 我现在的理解更好。

    因此、了解 BQ78350-R2存储器映射的唯一方法是通过 BQStudio、RSTH？ 还有其他官方文件可以找到吗？

    我必须将此存储器映射发送到主机。 是否可以自定义任何存储器映射地址？ 例如、将当前的"序列号"地址0x406b 更改为另一个特定地址。  

    谢谢、

    Marco。

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    TI__Guru**** 2589265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Marco：

    目前、BQStudio 是查看存储器映射的唯一方法。 无法更改地址、因为地址已映射到器件固件中。 (从技术上讲是可能的、但固件的更改只会发生在增加主要新功能时、例如 R3器件。 在可预见的将来、固件没有计划的更改)。  

    此致、

    Matt

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    TI__Guru**** 2589265 points
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    好的、清除。

    感谢 Matt 的支持！

    Marco。