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[参考译文] UCC21540-Q1:UCC21540-Q1

Guru**** 2507255 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/976343/ucc21540-q1-ucc21540-q1

器件型号:UCC21540-Q1

您好!

我想实施以下配置、感谢 TI 技术团队、我可以找到问题的答案。 还有一点我想知道你的看法。 在下面的电路中、考虑到 TI 团队的建议、我决定选择 CA1和 CA2值、这两个100nF 电容器并联时的电荷大约比栅极电荷大10-20倍、以便滤除高频噪声。 在配置中请注意、我们可以看到有另一个电容器将 VDAA 从 VSSA 去耦。 在以下选项中,您建议对 CD 使用哪一个? (在所有情况下、请考虑我使用的是 CA1和 CA2及其并联的100nF 电容器)

1. 取出 CD,因为电容器 CA1和 CA2已存在。

2.仅使用较小的电容器(100nF)以确保高频噪声缓解。

3.仅使用大电容器(比栅极电荷大10至20倍),而不使用小电容器(100nF)并联  

4.我必须将一个大电容(比栅极电荷大10到20倍)与一个100nF 电容并联、以减轻高频噪声影响。

我有另一个问题、就是为什么您将一个电容器与一个二极管串联? 我知道、实现此目的只是为了减小关断电阻、但为什么我们要在关断期间减小栅极电阻器的尺寸?

此致、

Hossein 先生。

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    Hossein、您好!

    我们有关该器件的专家目前不在办公室。 他将很快回答您的问题。

    此致、

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    您好、再说一次、

    我想提及另一点。 您的同事为我提供了一个链接

    其中 CA1和 CA2替换为两个0.1uF 电容器、仅用于降低高频噪声。 虽然 CD 不是为 CA1和 CA2使用两个大电容器、而是被视为用于去耦目的的两个并联4.7 μ F 电容器、以及用于降低噪声的一个并联0.1 μ F 电容器。 请告诉我、此配置是否同样适用于我的电路案例。 那么它将非常适合我的 PCB 布局。

    此致、

    Hossein 先生。

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    您好 Richard、

    感谢您的通知。

    此致、

    Hossein 先生。

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    你好 Hossein,

    CD 主要取决于您的电源结构。 我们需要知道您是否使用反激式、推挽式或其他拓扑、以及您的电源纹波是多少。 但是、链接的参考设计很可能在您的应用中正常工作、只需检查您的电源拓扑是否与参考设计中的拓扑类似。   

    "CD 被视为用于去耦目的的两个并联4.7 uF、以及用于降低噪声的一个并联0.1 uF "

    您在这里看到的两个4.7nF 并联电容器是电源的输出滤波电容器、而不是去耦电容器。 根据您的电源类型、您可能不需要它们。 但在那里进行这些操作是安全的。  

    您的最后一个问题、  

    "我有另一个问题是、为什么您将一个电容器与一个二极管串联? 我知道、实现这一目的只是为了减小关断电阻、但为什么我们要在关断期间减小栅极电阻器的尺寸?"

    这两个电阻器控制 FET 的开启或关闭速度。 您可能希望缓慢而快速地导通和关断 FET、这将降低击穿风险(半桥中的两个 FET 同时导通)。 使 Ron 大于 ROFF 将使 FET 导通速度更慢、关断速度更快。 实际上、您不希望一个 FET 导通、而另一个 FET 尚未关断。  

    此致、

    Krystian

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    您好、Krystian、

    非常感谢您提供的有用信息。 由于我有多个 MOSFET、因此我必须通过 SFTNO2M-12等隔离式直流/直流非稳压转换器为驱动器供电。

    考虑到我的驱动器由该转换器供电、您是否建议使用两个或一个4.7uF 电容器?

    此致、

    Hossein 先生。

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    你好 Hossein,

    如果您查看 SFTNO2M-12的数据表、它具有75mVp-p 纹波电压和47uF+0.1uF 电容器(注2)、因此您的 CD 选择应基于 SFTNO2M-12的要求。   

    此致、

    江姚