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器件型号：UC3843 大家好、团队、
这里有一个奇数的一个：
该数据表要求使用2个去耦电容器，1个，一个是开关 FET 栅极电荷的10倍。 数据表还列出了 Vcc 引脚上的串联电阻器。 TI 是否有关于不包含这些组件的影响的任何文档、即是否会显著更改此器件的使用寿命？ 我猜这些组件纯粹用于 EMI/EMC 和/或自发热、但我想了解您对此的看法。
导致这种情况的原因是、在两个电路板版本之间添加了串联电阻器、去耦电容器现在通过一个电阻器连接、当器件切换时、功率下降5V、 低于关断阈值电压(已连接)、我们正在尝试在 CE 测试之前避免另一个电路板旋转。 到目前为止、电路板正常工作、辐射发射似乎正常。 您认为这些突降足以给芯片带来麻烦吗？
